MOSFET STMicroelectronics STF45N10F7, VDSS 100 V, ID 110 A, TO-220FP de 3 pines, , config. Simple

Código de producto RS: 791-9320PMarca: STMicroelectronicsNúmero de parte de fabricante: STF45N10F7
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Documentos Técnicos

Especificaciones

Brand

STMicroelectronics

Tipo de Canal

N

Corriente Máxima Continua de Drenaje

110 A

Tensión Máxima Drenador-Fuente

100 V

Series

STripFET H7

Tipo de Encapsulado

TO-220FP

Tipo de Montaje

Through Hole

Número de pines

3

Resistencia Máxima Drenador-Fuente

7 m.Ω

Modo de Canal

Mejora

Tensión de umbral de puerta máxima

4V

Tensión de umbral de puerta mínima

2V

Disipación de Potencia Máxima

30000 mW

Configuración de transistor

Single

Tensión Máxima Puerta-Fuente

-20 V, +20 V

Anchura

4.6mm

Material del transistor

Si

Número de Elementos por Chip

1

Largo

10.6mm

Carga Típica de Puerta @ Vgs

72 nC a 10 V

Máxima Temperatura de Funcionamiento

+175 °C

Altura

16.4mm

Mínima Temperatura de Funcionamiento

-55 °C

Datos del producto

STripFET™ de canal N serie H7, STMicroelectronics

Los MOSFET STripFET™ tienen un amplio rango de tensión de ruptura y ofrecen carga de puerta ultrabaja y baja resistencia encendidos.

MOSFET Transistors, STMicroelectronics

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P.O.A.

Each (Supplied in a Tube) (Sin IVA)

MOSFET STMicroelectronics STF45N10F7, VDSS 100 V, ID 110 A, TO-220FP de 3 pines, , config. Simple
Seleccionar tipo de embalaje

Empaque de Producción (Tubo)

Seleccionar tipo de embalaje

Estándar - each

Disponible en múltiplos de 5.

Producción -

Disponible en múltiplos de 5.

Recomendado para órdenes de compra en grandes cantidades. Los artículos se empaquetan listos para insertarlos en la maquinaria, lo que le permite mejorar la eficiencia de la producción.

5

Disponible en múltiplos de 5
5P.O.A.
10P.O.A.
15P.O.A.
20P.O.A.
25P.O.A.
30P.O.A.
35P.O.A.
40P.O.A.
45P.O.A.
50P.O.A.
55P.O.A.
60P.O.A.
65P.O.A.
70P.O.A.
75P.O.A.

P.O.A.

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5

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5P.O.A.
10P.O.A.
15P.O.A.
20P.O.A.
25P.O.A.
30P.O.A.
35P.O.A.
40P.O.A.
45P.O.A.
50P.O.A.
55P.O.A.
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Tipo de Encapsulado

TO-220FP

Tipo de Montaje

Through Hole

Número de pines

3

Resistencia Máxima Drenador-Fuente

7 m.Ω

Modo de Canal

Mejora

Tensión de umbral de puerta máxima

4V

Tensión de umbral de puerta mínima

2V

Disipación de Potencia Máxima

30000 mW

Configuración de transistor

Single

Tensión Máxima Puerta-Fuente

-20 V, +20 V

Anchura

4.6mm

Material del transistor

Si

Número de Elementos por Chip

1

Largo

10.6mm

Carga Típica de Puerta @ Vgs

72 nC a 10 V

Máxima Temperatura de Funcionamiento

+175 °C

Altura

16.4mm

Mínima Temperatura de Funcionamiento

-55 °C

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