Documentos Técnicos
Especificaciones
Brand
STMicroelectronicsTipo de Producto
MOSFET
Tipo de canal
Type N
Corriente continua máxima de drenaje ld
2.5A
Tensión máxima Drenador-Fuente Vds
1kV
Tipo de Encapsulado
TO-220
Tipo de soporte
Orificio pasante
Número de pines
3
Resistencia máxima Drenador-Fuente Rds
6Ω
Modo de canal
Enhancement
Disipación de potencia máxima Pd
25W
Tensión máxima de la fuente de la puerta
30 V
Mínima Temperatura de Funcionamiento
-55°C
Carga típica de puerta Qg @ Vgs
18nC
Tensión directa Vf
1.6V
Máxima Temperatura de Funcionamiento
150°C
Ancho
4.6 mm
Altura
16.4mm
Largo
10.4mm
Certificaciones y estándares
No
Estándar de automoción
No
Datos del producto
MDmesh™ de canal N SuperMESH™, 700 V a 1200 V, STMicroelectronics
MOSFET Transistors, STMicroelectronics
Volver a intentar más tarde
$ 9.165
$ 1.833 Each (In a Pack of 5) (Sin IVA)
$ 10.906
$ 2.181,27 Each (In a Pack of 5) (IVA Inc.)
Estándar
5
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5
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STMicroelectronicsTipo de Producto
MOSFET
Tipo de canal
Type N
Corriente continua máxima de drenaje ld
2.5A
Tensión máxima Drenador-Fuente Vds
1kV
Tipo de Encapsulado
TO-220
Tipo de soporte
Orificio pasante
Número de pines
3
Resistencia máxima Drenador-Fuente Rds
6Ω
Modo de canal
Enhancement
Disipación de potencia máxima Pd
25W
Tensión máxima de la fuente de la puerta
30 V
Mínima Temperatura de Funcionamiento
-55°C
Carga típica de puerta Qg @ Vgs
18nC
Tensión directa Vf
1.6V
Máxima Temperatura de Funcionamiento
150°C
Ancho
4.6 mm
Altura
16.4mm
Largo
10.4mm
Certificaciones y estándares
No
Estándar de automoción
No
Datos del producto


