MOSFET, Tipo N-Canal STMicroelectronics STF35N60DM2, VDSS 600 V, ID 28 A, Mejora, TO-220 de 3 pines
Documentos Técnicos
Especificaciones
Brand
STMicroelectronicsTipo de producto
MOSFET
Tipo de Canal
Type N
Corriente continua máxima de drenaje ld
28A
Tensión máxima Drenador-Fuente Vds
600V
Encapsulado
TO-220
Series
MDmesh DM2
Tipo de soporte
Through Hole
Número de pines
3
Resistencia máxima Drenador-Fuente Rds
110mΩ
Modo de Canal
Enhancement
Temperatura Mínima de Funcionamiento
-55°C
Carga típica de puerta Qg @ Vgs
54nC
Tensión directa Vf
1.6V
Disipación de potencia máxima Pd
40W
Tensión máxima de la fuente de la puerta
25 V
Temperatura Máxima de Operación
150°C
Altura
16.4mm
Longitud
10.4mm
Certificaciones y estándares
No
Ancho
4.6 mm
Estándar de automoción
No
Datos del producto
MDmesh de canal N serie DM2, STMicroelectronics
Los MOSFET MDmesh DM2 ofrecen una baja RDS(on) y, gracias al tiempo de recuperación inversa de diodo mejorado para una mayor eficiencia, esta serie se ha optimizado para topologías de desfase de puente completo ZVS.
Alta capacidad dV/dt para mejorar la fiabilidad del sistema
Certificación AEC-Q101
MOSFET Transistors, STMicroelectronics
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$ 10.206
$ 5.103 Each (In a Pack of 2) (Sin IVA)
$ 12.145
$ 6.072,57 Each (In a Pack of 2) (IVA Inc.)
Estándar
2
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| Cantidad | Precio Unitario sin IVA | Por Pack |
|---|---|---|
| 2 - 8 | $ 5.103 | $ 10.206 |
| 10 - 98 | $ 4.977 | $ 9.954 |
| 100 - 498 | $ 4.843 | $ 9.686 |
| 500+ | $ 4.717 | $ 9.434 |
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Encapsulado
TO-220
Series
MDmesh DM2
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Número de pines
3
Resistencia máxima Drenador-Fuente Rds
110mΩ
Modo de Canal
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Temperatura Mínima de Funcionamiento
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Carga típica de puerta Qg @ Vgs
54nC
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1.6V
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Altura
16.4mm
Longitud
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No
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