MOSFET STMicroelectronics STF35N60DM2, VDSS 600 V, ID 28 A, TO-220FP de 3 pines, , config. Simple
Documentos Técnicos
Especificaciones
Brand
STMicroelectronicsTipo de Canal
N
Corriente Máxima Continua de Drenaje
28 A
Tensión Máxima Drenador-Fuente
600 V
Series
MDmesh DM2
Tipo de Encapsulado
TO-220FP
Tipo de Montaje
Through Hole
Número de pines
3
Resistencia Máxima Drenador-Fuente
110 mΩ
Modo de Canal
Mejora
Tensión de umbral de puerta máxima
5V
Tensión de umbral de puerta mínima
3V
Disipación de Potencia Máxima
40 W
Configuración de transistor
Single
Tensión Máxima Puerta-Fuente
-25 V, +25 V
Máxima Temperatura de Funcionamiento
+150 ºC
Anchura
4.6mm
Material del transistor
Si
Carga Típica de Puerta @ Vgs
54 nC a 10 V
Número de Elementos por Chip
1
Largo
10.4mm
Altura
16.4mm
Mínima Temperatura de Funcionamiento
-55 °C
Tensión de diodo directa
1.6V
Datos del producto
MDmesh de canal N serie DM2, STMicroelectronics
Los MOSFET MDmesh DM2 ofrecen una baja RDS(on) y, gracias al tiempo de recuperación inversa de diodo mejorado para una mayor eficiencia, esta serie se ha optimizado para topologías de desfase de puente completo ZVS.
Alta capacidad dV/dt para mejorar la fiabilidad del sistema
Certificación AEC-Q101
MOSFET Transistors, STMicroelectronics
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$ 10.206
$ 5.103 Each (In a Pack of 2) (Sin IVA)
$ 12.145
$ 6.072,57 Each (In a Pack of 2) (IVA Inc.)
Estándar
2
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| Cantidad | Precio Unitario sin IVA | Por Pack |
|---|---|---|
| 2 - 8 | $ 5.103 | $ 10.206 |
| 10 - 98 | $ 4.977 | $ 9.954 |
| 100 - 498 | $ 4.843 | $ 9.686 |
| 500+ | $ 4.717 | $ 9.434 |
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N
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TO-220FP
Tipo de Montaje
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3
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Mejora
Tensión de umbral de puerta máxima
5V
Tensión de umbral de puerta mínima
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Si
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