MOSFET, Tipo N-Canal STMicroelectronics, VDSS 600 V, ID 28 A, Mejora, TO-220 de 3 pines
Documentos Técnicos
Especificaciones
Brand
STMicroelectronicsTipo de producto
MOSFET
Tipo de Canal
Type N
Corriente continua máxima de drenaje ld
28A
Tensión máxima Drenador-Fuente Vds
600V
Encapsulado
TO-220
Series
MDmesh DM2
Tipo de soporte
Through Hole
Número de pines
3
Resistencia máxima Drenador-Fuente Rds
110mΩ
Modo de Canal
Enhancement
Carga típica de puerta Qg @ Vgs
54nC
Tensión directa Vf
1.6V
Tensión máxima de la fuente de la puerta
25 V
Temperatura Mínima de Funcionamiento
-55°C
Disipación de potencia máxima Pd
40W
Temperatura Máxima de Operación
150°C
Longitud
10.4mm
Certificaciones y estándares
No
Ancho
4.6 mm
Altura
16.4mm
Estándar de automoción
No
País de Origen
China
Datos del producto
MDmesh de canal N serie DM2, STMicroelectronics
Los MOSFET MDmesh DM2 ofrecen una baja RDS(on) y, gracias al tiempo de recuperación inversa de diodo mejorado para una mayor eficiencia, esta serie se ha optimizado para topologías de desfase de puente completo ZVS.
Alta capacidad dV/dt para mejorar la fiabilidad del sistema
Certificación AEC-Q101
MOSFET Transistors, STMicroelectronics
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$ 220.500
$ 4.410 Each (In a Tube of 50) (Sin IVA)
$ 262.395
$ 5.247,90 Each (In a Tube of 50) (IVA Inc.)
50
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50
| Cantidad | Precio Unitario sin IVA | Por Tubo |
|---|---|---|
| 50 - 50 | $ 4.410 | $ 220.500 |
| 100 - 450 | $ 4.297 | $ 214.850 |
| 500+ | $ 4.190 | $ 209.500 |
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Tensión máxima Drenador-Fuente Vds
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Encapsulado
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Series
MDmesh DM2
Tipo de soporte
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Número de pines
3
Resistencia máxima Drenador-Fuente Rds
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Modo de Canal
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Carga típica de puerta Qg @ Vgs
54nC
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Temperatura Mínima de Funcionamiento
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Altura
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