MOSFET STMicroelectronics STF28N60DM2, VDSS 650 V, ID 21 A, TO-220FP de 3 pines, config. Simple
Documentos Técnicos
Especificaciones
Brand
STMicroelectronicsTipo de Canal
N
Corriente Máxima Continua de Drenaje
21 A
Tensión Máxima Drenador-Fuente
650 V
Tipo de Encapsulado
TO-220FP
Series
MDmesh DM2
Tipo de Montaje
Through Hole
Número de pines
3
Resistencia Máxima Drenador-Fuente
160 m.Ω
Modo de Canal
Mejora
Tensión de umbral de puerta máxima
5V
Tensión de umbral de puerta mínima
3V
Disipación de Potencia Máxima
30000 mW
Configuración de transistor
Single
Tensión Máxima Puerta-Fuente
-25 V, +25 V
Material del transistor
Si
Máxima Temperatura de Funcionamiento
+150 ºC
Anchura
4.6mm
Largo
10.4mm
Carga Típica de Puerta @ Vgs
34 nC a 10 V
Número de Elementos por Chip
1
Altura
16.4mm
Mínima Temperatura de Funcionamiento
-55 °C
Tensión de diodo directa
1.6V
País de Origen
China
Datos del producto
MDmesh de canal N serie DM2, STMicroelectronics
Los MOSFET MDmesh DM2 ofrecen una baja RDS(on) y, gracias al tiempo de recuperación inversa de diodo mejorado para una mayor eficiencia, esta serie se ha optimizado para topologías de desfase de puente completo ZVS.
Alta capacidad dV/dt para mejorar la fiabilidad del sistema
Certificación AEC-Q101
MOSFET Transistors, STMicroelectronics
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P.O.A.
Each (In a Tube of 50) (Sin IVA)
50
P.O.A.
Each (In a Tube of 50) (Sin IVA)
Volver a intentar más tarde
50
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STMicroelectronicsTipo de Canal
N
Corriente Máxima Continua de Drenaje
21 A
Tensión Máxima Drenador-Fuente
650 V
Tipo de Encapsulado
TO-220FP
Series
MDmesh DM2
Tipo de Montaje
Through Hole
Número de pines
3
Resistencia Máxima Drenador-Fuente
160 m.Ω
Modo de Canal
Mejora
Tensión de umbral de puerta máxima
5V
Tensión de umbral de puerta mínima
3V
Disipación de Potencia Máxima
30000 mW
Configuración de transistor
Single
Tensión Máxima Puerta-Fuente
-25 V, +25 V
Material del transistor
Si
Máxima Temperatura de Funcionamiento
+150 ºC
Anchura
4.6mm
Largo
10.4mm
Carga Típica de Puerta @ Vgs
34 nC a 10 V
Número de Elementos por Chip
1
Altura
16.4mm
Mínima Temperatura de Funcionamiento
-55 °C
Tensión de diodo directa
1.6V
País de Origen
China
Datos del producto
MDmesh de canal N serie DM2, STMicroelectronics
Los MOSFET MDmesh DM2 ofrecen una baja RDS(on) y, gracias al tiempo de recuperación inversa de diodo mejorado para una mayor eficiencia, esta serie se ha optimizado para topologías de desfase de puente completo ZVS.
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