MOSFET, Tipo N-Canal STMicroelectronics, VDSS 600 V, ID 20 A, Mejora, TO-220 de 3 pines

Código de producto RS: 103-2000Marca: STMicroelectronicsNúmero de parte de fabricante: STF26NM60N
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Documentos Técnicos

Especificaciones

Brand

STMicroelectronics

Tipo de canal

Type N

Tipo de Producto

MOSFET

Corriente continua máxima de drenaje ld

20A

Tensión máxima Drenador-Fuente Vds

600V

Encapsulado

TO-220

Series

MDmesh

Tipo de Montaje

Orificio pasante

Número de pines

3

Resistencia máxima Drenador-Fuente Rds

165mΩ

Modo de canal

Mejora

Tensión directa Vf

1.3V

Disipación de potencia máxima Pd

35W

Tensión máxima de la fuente de la puerta

25 V

Temperatura de Funcionamiento Mínima

-55°C

Carga típica de puerta Qg @ Vgs

60nC

Temperatura Máxima de Funcionamiento

150°C

Anchura

4.6 mm

Altura

16.4mm

Largo

10.4mm

Certificaciones y estándares

RoHS

Estándar de automoción

No

Datos del producto

MDmesh™ de canal N, 600 V/650 V, STMicroelectronics

MOSFET Transistors, STMicroelectronics

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$ 93.800

$ 1.876 Each (In a Tube of 50) (Sin IVA)

$ 111.622

$ 2.232,44 Each (In a Tube of 50) (IVA Inc.)

MOSFET, Tipo N-Canal STMicroelectronics, VDSS 600 V, ID 20 A, Mejora, TO-220 de 3 pines

50

Disponible en múltiplos de 50
50$ 93.800
100$ 187.600
150$ 281.400
200$ 375.200
250$ 469.000
300$ 562.800
350$ 656.600
400$ 750.400
450$ 844.200
500$ 938.000
550$ 1.031.800
600$ 1.125.600
650$ 1.219.400
700$ 1.313.200
750$ 1.407.000

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Encapsulado

TO-220

Series

MDmesh

Tipo de Montaje

Orificio pasante

Número de pines

3

Resistencia máxima Drenador-Fuente Rds

165mΩ

Modo de canal

Mejora

Tensión directa Vf

1.3V

Disipación de potencia máxima Pd

35W

Tensión máxima de la fuente de la puerta

25 V

Temperatura de Funcionamiento Mínima

-55°C

Carga típica de puerta Qg @ Vgs

60nC

Temperatura Máxima de Funcionamiento

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Anchura

4.6 mm

Altura

16.4mm

Largo

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