Documentos Técnicos
Especificaciones
Brand
STMicroelectronicsTipo de Producto
MOSFET
Tipo de canal
Type N
Corriente continua máxima de drenaje ld
17A
Tensión máxima Drenador-Fuente Vds
650V
Tipo de Encapsulado
TO-220
Series
MDmesh
Tipo de soporte
Orificio pasante
Número de pines
3
Resistencia máxima Drenador-Fuente Rds
190mΩ
Modo de canal
Enhancement
Disipación de potencia máxima Pd
30W
Tensión máxima de la fuente de la puerta
30 V
Mínima Temperatura de Funcionamiento
-55°C
Carga típica de puerta Qg @ Vgs
46nC
Tensión directa Vf
1.6V
Máxima Temperatura de Funcionamiento
150°C
Ancho
4.6 mm
Altura
16.4mm
Largo
10.4mm
Certificaciones y estándares
No
Estándar de automoción
No
Datos del producto
MDmesh™ de canal N, 600 V/650 V, STMicroelectronics
MOSFET Transistors, STMicroelectronics
Volver a intentar más tarde
$ 4.237
$ 4.237 Each (Sin IVA)
$ 5.042
$ 5.042 Each (IVA Inc.)
Estándar
1
$ 4.237
$ 4.237 Each (Sin IVA)
$ 5.042
$ 5.042 Each (IVA Inc.)
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Estándar
1
| Cantidad | Precio Unitario sin IVA |
|---|---|
| 1 - 9 | $ 4.237 |
| 10 - 99 | $ 3.623 |
| 100 - 499 | $ 2.882 |
| 500 - 999 | $ 2.567 |
| 1000+ | $ 2.158 |
Documentos Técnicos
Especificaciones
Brand
STMicroelectronicsTipo de Producto
MOSFET
Tipo de canal
Type N
Corriente continua máxima de drenaje ld
17A
Tensión máxima Drenador-Fuente Vds
650V
Tipo de Encapsulado
TO-220
Series
MDmesh
Tipo de soporte
Orificio pasante
Número de pines
3
Resistencia máxima Drenador-Fuente Rds
190mΩ
Modo de canal
Enhancement
Disipación de potencia máxima Pd
30W
Tensión máxima de la fuente de la puerta
30 V
Mínima Temperatura de Funcionamiento
-55°C
Carga típica de puerta Qg @ Vgs
46nC
Tensión directa Vf
1.6V
Máxima Temperatura de Funcionamiento
150°C
Ancho
4.6 mm
Altura
16.4mm
Largo
10.4mm
Certificaciones y estándares
No
Estándar de automoción
No
Datos del producto


