Documentos Técnicos
Especificaciones
Brand
STMicroelectronicsTipo de producto
MOSFET
Tipo de Canal
Type N
Corriente continua máxima de drenaje ld
17A
Tensión máxima Drenador-Fuente Vds
650V
Encapsulado
TO-220
Series
MDmesh
Tipo de soporte
Through Hole
Número de pines
3
Resistencia máxima Drenador-Fuente Rds
190mΩ
Modo de Canal
Enhancement
Carga típica de puerta Qg @ Vgs
46nC
Tensión directa Vf
1.6V
Disipación de potencia máxima Pd
30W
Tensión máxima de la fuente de la puerta
30 V
Temperatura Mínima de Funcionamiento
-55°C
Temperatura Máxima de Operación
150°C
Longitud
10.4mm
Certificaciones y estándares
No
Ancho
4.6 mm
Altura
16.4mm
Estándar de automoción
No
Datos del producto
MDmesh™ de canal N, 600 V/650 V, STMicroelectronics
MOSFET Transistors, STMicroelectronics
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$ 168.550
$ 3.371 Each (In a Tube of 50) (Sin IVA)
$ 200.574
$ 4.011,49 Each (In a Tube of 50) (IVA Inc.)
50
$ 168.550
$ 3.371 Each (In a Tube of 50) (Sin IVA)
$ 200.574
$ 4.011,49 Each (In a Tube of 50) (IVA Inc.)
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50
| Cantidad | Precio Unitario sin IVA | Por Tubo |
|---|---|---|
| 50 - 50 | $ 3.371 | $ 168.550 |
| 100 - 450 | $ 2.684 | $ 134.200 |
| 500 - 950 | $ 2.389 | $ 119.450 |
| 1000 - 4950 | $ 2.296 | $ 114.800 |
| 5000+ | $ 2.240 | $ 112.000 |
Documentos Técnicos
Especificaciones
Brand
STMicroelectronicsTipo de producto
MOSFET
Tipo de Canal
Type N
Corriente continua máxima de drenaje ld
17A
Tensión máxima Drenador-Fuente Vds
650V
Encapsulado
TO-220
Series
MDmesh
Tipo de soporte
Through Hole
Número de pines
3
Resistencia máxima Drenador-Fuente Rds
190mΩ
Modo de Canal
Enhancement
Carga típica de puerta Qg @ Vgs
46nC
Tensión directa Vf
1.6V
Disipación de potencia máxima Pd
30W
Tensión máxima de la fuente de la puerta
30 V
Temperatura Mínima de Funcionamiento
-55°C
Temperatura Máxima de Operación
150°C
Longitud
10.4mm
Certificaciones y estándares
No
Ancho
4.6 mm
Altura
16.4mm
Estándar de automoción
No
Datos del producto


