Documentos Técnicos
Especificaciones
Brand
STMicroelectronicsTipo de Canal
N
Maximum Continuous Drain Current
13 A
Tipo de Encapsulado
TO-220 FP
Tipo de montaje
Through Hole
Conteo de Pines
3
Resistencia Máxima Drenador-Fuente
280 mΩ
Modo de Canal
Mejora
Tensión de umbral de puerta máxima
4.75V
Tensión de umbral de puerta mínima
3.25V
Disipación de Potencia Máxima
25000 mW
Transistor Configuration
Single
Tensión Máxima Puerta-Fuente
±25 V
Profundidad
4.6mm
Número de Elementos por Chip
1
Longitud:
10.4mm
Carga Típica de Puerta @ Vgs
16,8 nC a 10 V
Temperatura de Funcionamiento Máxima
+150 ºC
Altura
16.4mm
Temperatura de Funcionamiento Mínima
-55 °C
Tensión de diodo directa
1.6V
País de Origen
China
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$ 2.659
Each (In a Tube of 50) (Sin IVA)
$ 3.164,21
Each (In a Tube of 50) (IVA Incluido)
50
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$ 3.164,21
Each (In a Tube of 50) (IVA Incluido)
50
Comprar en grandes cantidades
Cantidad | Precio Unitario sin IVA | Por Tubo |
---|---|---|
50 - 50 | $ 2.659 | $ 132.950 |
100 - 450 | $ 2.140 | $ 107.000 |
500 - 950 | $ 2.004 | $ 100.200 |
1000 - 2450 | $ 1.955 | $ 97.750 |
2500+ | $ 1.904 | $ 95.200 |
Documentos Técnicos
Especificaciones
Brand
STMicroelectronicsTipo de Canal
N
Maximum Continuous Drain Current
13 A
Tipo de Encapsulado
TO-220 FP
Tipo de montaje
Through Hole
Conteo de Pines
3
Resistencia Máxima Drenador-Fuente
280 mΩ
Modo de Canal
Mejora
Tensión de umbral de puerta máxima
4.75V
Tensión de umbral de puerta mínima
3.25V
Disipación de Potencia Máxima
25000 mW
Transistor Configuration
Single
Tensión Máxima Puerta-Fuente
±25 V
Profundidad
4.6mm
Número de Elementos por Chip
1
Longitud:
10.4mm
Carga Típica de Puerta @ Vgs
16,8 nC a 10 V
Temperatura de Funcionamiento Máxima
+150 ºC
Altura
16.4mm
Temperatura de Funcionamiento Mínima
-55 °C
Tensión de diodo directa
1.6V
País de Origen
China