Documentos Técnicos
Especificaciones
Brand
STMicroelectronicsTipo de producto
MOSFET de potencia MDmesh V
Tipo de Canal
Type N
Corriente continua máxima de drenaje ld
12A
Tensión máxima Drenador-Fuente Vds
650V
Encapsulado
TO-220FP
Series
MDmesh M5
Tipo de soporte
Through Hole
Número de pines
3
Resistencia máxima Drenador-Fuente Rds
0.299Ω
Modo de Canal
Enhancement
Carga típica de puerta Qg @ Vgs
45nC
Tensión directa Vf
1.5V
Disipación de potencia máxima Pd
90W
Tensión máxima de la fuente de la puerta
25 V
Temperatura Mínima de Funcionamiento
-55°C
Temperatura Máxima de Operación
150°C
Longitud
10.4mm
Certificaciones y estándares
No
Ancho
4.6 mm
Altura
9.3mm
Estándar de automoción
No
País de Origen
Malaysia
Datos del producto
MDmesh™ de canal N serie M5, STMicroelectronics
El MOSFET de potencia MDmesh M5 está optimizado para alta potencia PFC y topologías PWM. Las características principales incluyen bajas pérdidas de encendido por área de silicio junto con una carga de compuerta baja. Están diseñados para aplicaciones de conmutación de alta eficiencia energética fiable y compacta, como convertidores de potencia solar, fuentes de alimentación para productos de consumo electrónico y controles de iluminación.
MOSFET Transistors, STMicroelectronics
Volver a intentar más tarde
$ 114.250
$ 2.285 Each (In a Tube of 50) (Sin IVA)
$ 135.958
$ 2.719,15 Each (In a Tube of 50) (IVA Inc.)
50
$ 114.250
$ 2.285 Each (In a Tube of 50) (Sin IVA)
$ 135.958
$ 2.719,15 Each (In a Tube of 50) (IVA Inc.)
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50
| Cantidad | Precio Unitario sin IVA | Por Tubo |
|---|---|---|
| 50 - 50 | $ 2.285 | $ 114.250 |
| 100 - 200 | $ 2.227 | $ 111.350 |
| 250+ | $ 2.172 | $ 108.600 |
Documentos Técnicos
Especificaciones
Brand
STMicroelectronicsTipo de producto
MOSFET de potencia MDmesh V
Tipo de Canal
Type N
Corriente continua máxima de drenaje ld
12A
Tensión máxima Drenador-Fuente Vds
650V
Encapsulado
TO-220FP
Series
MDmesh M5
Tipo de soporte
Through Hole
Número de pines
3
Resistencia máxima Drenador-Fuente Rds
0.299Ω
Modo de Canal
Enhancement
Carga típica de puerta Qg @ Vgs
45nC
Tensión directa Vf
1.5V
Disipación de potencia máxima Pd
90W
Tensión máxima de la fuente de la puerta
25 V
Temperatura Mínima de Funcionamiento
-55°C
Temperatura Máxima de Operación
150°C
Longitud
10.4mm
Certificaciones y estándares
No
Ancho
4.6 mm
Altura
9.3mm
Estándar de automoción
No
País de Origen
Malaysia
Datos del producto
MDmesh™ de canal N serie M5, STMicroelectronics
El MOSFET de potencia MDmesh M5 está optimizado para alta potencia PFC y topologías PWM. Las características principales incluyen bajas pérdidas de encendido por área de silicio junto con una carga de compuerta baja. Están diseñados para aplicaciones de conmutación de alta eficiencia energética fiable y compacta, como convertidores de potencia solar, fuentes de alimentación para productos de consumo electrónico y controles de iluminación.


