MOSFET STMicroelectronics STF16N60M2, VDSS 600 V, ID 12 A, TO-220FP de 3 pines, , config. Simple
Documentos Técnicos
Especificaciones
Brand
STMicroelectronicsTipo de Canal
N
Corriente Máxima Continua de Drenaje
12 A
Tensión Máxima Drenador-Fuente
600 V
Series
MDmesh M2
Tipo de Encapsulado
TO-220FP
Tipo de Montaje
Through Hole
Número de pines
3
Resistencia Máxima Drenador-Fuente
320 mΩ
Modo de Canal
Mejora
Disipación de Potencia Máxima
25000 mW
Configuración de transistor
Single
Tensión Máxima Puerta-Fuente
-25 V, +25 V
Número de Elementos por Chip
1
Anchura
4.6mm
Largo
10.4mm
Máxima Temperatura de Funcionamiento
+150 ºC
Carga Típica de Puerta @ Vgs
19 nC a 10 V
Material del transistor
Si
Tensión de diodo directa
1.6V
Altura
16.4mm
País de Origen
China
Datos del producto
MDmesh™ de canal N serie M2, STMicroelectronics
Una gama de MOSFET de potencia de alta tensión de STMicroelectronics. Gracias a su carga de compuerta baja y a sus excelentes características de capacitancia, la serie MDmesh M2 es perfecta para su uso en fuentes de conmutación de tipo resonante (convertidores LLC).
MOSFET Transistors, STMicroelectronics
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$ 1.591 Each (In a Tube of 50) (Sin IVA)
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Tipo de Encapsulado
TO-220FP
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Resistencia Máxima Drenador-Fuente
320 mΩ
Modo de Canal
Mejora
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25000 mW
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Single
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-25 V, +25 V
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1
Anchura
4.6mm
Largo
10.4mm
Máxima Temperatura de Funcionamiento
+150 ºC
Carga Típica de Puerta @ Vgs
19 nC a 10 V
Material del transistor
Si
Tensión de diodo directa
1.6V
Altura
16.4mm
País de Origen
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