MOSFET de potencia, Tipo N-Canal STMicroelectronics, VDSS 650 V, ID 11 A, Mejora, TO-220FP de 3 pines
Documentos Técnicos
Especificaciones
Brand
STMicroelectronicsTipo de Canal
Type N
Tipo de producto
MOSFET de potencia
Corriente continua máxima de drenaje ld
11A
Tensión máxima Drenador-Fuente Vds
650V
Encapsulado
TO-220FP
Series
MDmesh M5
Tipo de soporte
Through Hole
Número de pines
3
Resistencia máxima Drenador-Fuente Rds
0.34Ω
Modo de Canal
Enhancement
Tensión directa Vf
1.5V
Tensión máxima de la fuente de la puerta
±25 V
Temperatura Mínima de Funcionamiento
-55°C
Carga típica de puerta Qg @ Vgs
22nC
Disipación de potencia máxima Pd
85W
Temperatura Máxima de Operación
150°C
Certificaciones y estándares
No
Ancho
4.6 mm
Altura
16.4mm
Longitud
10.4mm
Estándar de automoción
No
País de Origen
China
Datos del producto
MDmesh™ de canal N serie M5, STMicroelectronics
El MOSFET de potencia MDmesh M5 está optimizado para alta potencia PFC y topologías PWM. Las características principales incluyen bajas pérdidas de encendido por área de silicio junto con una carga de compuerta baja. Están diseñados para aplicaciones de conmutación de alta eficiencia energética fiable y compacta, como convertidores de potencia solar, fuentes de alimentación para productos de consumo electrónico y controles de iluminación.
MOSFET Transistors, STMicroelectronics
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$ 95.450
$ 1.909 Each (In a Tube of 50) (Sin IVA)
$ 113.586
$ 2.271,71 Each (In a Tube of 50) (IVA Inc.)
50
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50
| Cantidad | Precio Unitario sin IVA | Por Tubo |
|---|---|---|
| 50 - 50 | $ 1.909 | $ 95.450 |
| 100 - 200 | $ 1.857 | $ 92.850 |
| 250 - 450 | $ 1.808 | $ 90.400 |
| 500 - 700 | $ 1.762 | $ 88.100 |
| 750+ | $ 1.718 | $ 85.900 |
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Especificaciones
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Type N
Tipo de producto
MOSFET de potencia
Corriente continua máxima de drenaje ld
11A
Tensión máxima Drenador-Fuente Vds
650V
Encapsulado
TO-220FP
Series
MDmesh M5
Tipo de soporte
Through Hole
Número de pines
3
Resistencia máxima Drenador-Fuente Rds
0.34Ω
Modo de Canal
Enhancement
Tensión directa Vf
1.5V
Tensión máxima de la fuente de la puerta
±25 V
Temperatura Mínima de Funcionamiento
-55°C
Carga típica de puerta Qg @ Vgs
22nC
Disipación de potencia máxima Pd
85W
Temperatura Máxima de Operación
150°C
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No
Ancho
4.6 mm
Altura
16.4mm
Longitud
10.4mm
Estándar de automoción
No
País de Origen
China
Datos del producto
MDmesh™ de canal N serie M5, STMicroelectronics
El MOSFET de potencia MDmesh M5 está optimizado para alta potencia PFC y topologías PWM. Las características principales incluyen bajas pérdidas de encendido por área de silicio junto con una carga de compuerta baja. Están diseñados para aplicaciones de conmutación de alta eficiencia energética fiable y compacta, como convertidores de potencia solar, fuentes de alimentación para productos de consumo electrónico y controles de iluminación.
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