MOSFET STMicroelectronics STF15N65M5, VDSS 710 V, ID 11 A, TO-220FP de 3 pines, , config. Simple
Documentos Técnicos
Especificaciones
Brand
STMicroelectronicsTipo de Canal
N
Corriente Máxima Continua de Drenaje
11 A
Tensión Máxima Drenador-Fuente
710 V
Tipo de Encapsulado
TO-220FP
Series
MDmesh M5
Tipo de Montaje
Through Hole
Número de pines
3
Resistencia Máxima Drenador-Fuente
340 mΩ
Modo de Canal
Mejora
Tensión de umbral de puerta máxima
5V
Tensión de umbral de puerta mínima
3V
Disipación de Potencia Máxima
25000 mW
Configuración de transistor
Single
Tensión Máxima Puerta-Fuente
-25 V, +25 V
Largo
10.4mm
Carga Típica de Puerta @ Vgs
22 nC a 10 V
Material del transistor
Si
Máxima Temperatura de Funcionamiento
+150 ºC
Número de Elementos por Chip
1
Anchura
4.6mm
Altura
16.4mm
País de Origen
China
Datos del producto
MDmesh™ de canal N serie M5, STMicroelectronics
El MOSFET de potencia MDmesh M5 está optimizado para alta potencia PFC y topologías PWM. Las características principales incluyen bajas pérdidas de encendido por área de silicio junto con una carga de compuerta baja. Están diseñados para aplicaciones de conmutación de alta eficiencia energética fiable y compacta, como convertidores de potencia solar, fuentes de alimentación para productos de consumo electrónico y controles de iluminación.
MOSFET Transistors, STMicroelectronics
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$ 95.450
$ 1.909 Each (In a Tube of 50) (Sin IVA)
$ 113.586
$ 2.271,71 Each (In a Tube of 50) (IVA Inc.)
50
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50
| Cantidad | Precio Unitario sin IVA | Por Tubo |
|---|---|---|
| 50 - 50 | $ 1.909 | $ 95.450 |
| 100 - 200 | $ 1.857 | $ 92.850 |
| 250 - 450 | $ 1.808 | $ 90.400 |
| 500 - 700 | $ 1.762 | $ 88.100 |
| 750+ | $ 1.718 | $ 85.900 |
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N
Corriente Máxima Continua de Drenaje
11 A
Tensión Máxima Drenador-Fuente
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Tipo de Encapsulado
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Series
MDmesh M5
Tipo de Montaje
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Número de pines
3
Resistencia Máxima Drenador-Fuente
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Modo de Canal
Mejora
Tensión de umbral de puerta máxima
5V
Tensión de umbral de puerta mínima
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25000 mW
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Tensión Máxima Puerta-Fuente
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Material del transistor
Si
Máxima Temperatura de Funcionamiento
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Número de Elementos por Chip
1
Anchura
4.6mm
Altura
16.4mm
País de Origen
China
Datos del producto
MDmesh™ de canal N serie M5, STMicroelectronics
El MOSFET de potencia MDmesh M5 está optimizado para alta potencia PFC y topologías PWM. Las características principales incluyen bajas pérdidas de encendido por área de silicio junto con una carga de compuerta baja. Están diseñados para aplicaciones de conmutación de alta eficiencia energética fiable y compacta, como convertidores de potencia solar, fuentes de alimentación para productos de consumo electrónico y controles de iluminación.
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