Documentos Técnicos
Especificaciones
Brand
STMicroelectronicsTipo de producto
MOSFET
Tipo de Canal
Type N
Corriente continua máxima de drenaje ld
11A
Tensión máxima Drenador-Fuente Vds
600V
Encapsulado
TO-220FP
Serie
MDmesh
Tipo de Montaje
Orificio pasante
Número de pines
3
Resistencia máxima Drenador-Fuente Rds
360mΩ
Modo de canal
Enhancement
Tensión máxima de la fuente de la puerta
25, -25V
Máxima Temperatura de Funcionamiento
150°C
Configuración de transistor
Single
Largo
10.4mm
Altura
16.4mm
Ancho
4.6mm
Número de elementos por chip
1
Datos del producto
Estos dispositivos son MOSFET de potencia de canal N que incorporan la segunda generación de tecnología MDmesh. Estos revolucionarios MOSFET de potencia asocian una estructura vertical al diseño de bandas de la empresa para conseguir una de las cargas de puerta y resistencia de conexión más bajas del mundo. Por tanto, son adecuados para los convertidores de alta eficiencia más exigentes.
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$ 125.200
$ 2.504 Each (In a Tube of 50) (Sin IVA)
$ 148.988
$ 2.979,76 Each (In a Tube of 50) (IVA Inc.)
50
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50
| Cantidad | Precio Unitario sin IVA | Por Tubo |
|---|---|---|
| 50 - 50 | $ 2.504 | $ 125.200 |
| 100 - 450 | $ 2.007 | $ 100.350 |
| 500 - 950 | $ 1.786 | $ 89.300 |
| 1000 - 4950 | $ 1.507 | $ 75.350 |
| 5000+ | $ 1.451 | $ 72.550 |
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Serie
MDmesh
Tipo de Montaje
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3
Resistencia máxima Drenador-Fuente Rds
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Modo de canal
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Tensión máxima de la fuente de la puerta
25, -25V
Máxima Temperatura de Funcionamiento
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Largo
10.4mm
Altura
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Ancho
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Estos dispositivos son MOSFET de potencia de canal N que incorporan la segunda generación de tecnología MDmesh. Estos revolucionarios MOSFET de potencia asocian una estructura vertical al diseño de bandas de la empresa para conseguir una de las cargas de puerta y resistencia de conexión más bajas del mundo. Por tanto, son adecuados para los convertidores de alta eficiencia más exigentes.
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