Documentos Técnicos
Especificaciones
Brand
STMicroelectronicsTipo de Producto
MOSFET
Tipo de Canal
N
Corriente continua máxima de drenaje ld
8.5A
Tensión máxima Drenador-Fuente Vds
650V
Serie
MDmesh M5
Encapsulado
TO-220
Tipo de Montaje
Through Hole
Número de pines
3
Resistencia máxima Drenador-Fuente Rds
430mΩ
Modo de canal
Enhancement
Temperatura de Funcionamiento Mínima
-55°C
Carga típica de puerta Qg @ Vgs
20nC
Tensión máxima de la fuente de la puerta
25V
Tensión directa Vf
1.5V
Disipación de potencia máxima Pd
25W
Máxima Temperatura de Funcionamiento
150°C
Longitud:
10.4mm
Certificaciones y estándares
No
Ancho
4.6mm
Altura
16.4mm
Estándar de automoción
No
Datos del producto
El MOSFET de potencia MDmesh M5 está optimizado para alta potencia PFC y topologías PWM. Las características principales incluyen bajas pérdidas de encendido por área de silicio junto con una carga de compuerta baja. Están diseñados para aplicaciones de conmutación de alta eficiencia energética fiable y compacta, como convertidores de potencia solar, fuentes de alimentación para productos de consumo electrónico y controles de iluminación.
Volver a intentar más tarde
$ 1.465
$ 1.465 Each (Sin IVA)
$ 1.743
$ 1.743 Each (IVA Inc.)
Estándar
1
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1
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Brand
STMicroelectronicsTipo de Producto
MOSFET
Tipo de Canal
N
Corriente continua máxima de drenaje ld
8.5A
Tensión máxima Drenador-Fuente Vds
650V
Serie
MDmesh M5
Encapsulado
TO-220
Tipo de Montaje
Through Hole
Número de pines
3
Resistencia máxima Drenador-Fuente Rds
430mΩ
Modo de canal
Enhancement
Temperatura de Funcionamiento Mínima
-55°C
Carga típica de puerta Qg @ Vgs
20nC
Tensión máxima de la fuente de la puerta
25V
Tensión directa Vf
1.5V
Disipación de potencia máxima Pd
25W
Máxima Temperatura de Funcionamiento
150°C
Longitud:
10.4mm
Certificaciones y estándares
No
Ancho
4.6mm
Altura
16.4mm
Estándar de automoción
No
Datos del producto
El MOSFET de potencia MDmesh M5 está optimizado para alta potencia PFC y topologías PWM. Las características principales incluyen bajas pérdidas de encendido por área de silicio junto con una carga de compuerta baja. Están diseñados para aplicaciones de conmutación de alta eficiencia energética fiable y compacta, como convertidores de potencia solar, fuentes de alimentación para productos de consumo electrónico y controles de iluminación.