MOSFET STMicroelectronics STF12N60M2, VDSS 600 V, ID 9 A, TO-220FP de 3 pines, , config. Simple
Documentos Técnicos
Especificaciones
Brand
STMicroelectronicsTipo de Canal
N
Corriente Máxima Continua de Drenaje
9 A
Tensión Máxima Drenador-Fuente
600 V
Series
MDmesh M2
Tipo de Encapsulado
TO-220FP
Tipo de Montaje
Through Hole
Número de pines
3
Resistencia Máxima Drenador-Fuente
450 mΩ
Modo de Canal
Mejora
Disipación de Potencia Máxima
25000 mW
Configuración de transistor
Single
Tensión Máxima Puerta-Fuente
-25 V, +25 V
Anchura
4.6mm
Material del transistor
Si
Número de Elementos por Chip
1
Largo
10.4mm
Carga Típica de Puerta @ Vgs
16 nC a 10 V
Máxima Temperatura de Funcionamiento
+150 ºC
Altura
16.4mm
Tensión de diodo directa
1.6V
País de Origen
China
Datos del producto
MDmesh™ de canal N serie M2, STMicroelectronics
Una gama de MOSFET de potencia de alta tensión de STMicroelectronics. Gracias a su carga de compuerta baja y a sus excelentes características de capacitancia, la serie MDmesh M2 es perfecta para su uso en fuentes de conmutación de tipo resonante (convertidores LLC).
MOSFET Transistors, STMicroelectronics
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$ 8.270
$ 1.654 Each (In a Pack of 5) (Sin IVA)
$ 9.841
$ 1.968,26 Each (In a Pack of 5) (IVA Inc.)
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5
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| Cantidad | Precio Unitario sin IVA | Por Pack |
|---|---|---|
| 5 - 20 | $ 1.654 | $ 8.270 |
| 25 - 45 | $ 1.569 | $ 7.845 |
| 50 - 120 | $ 1.414 | $ 7.070 |
| 125 - 245 | $ 1.269 | $ 6.345 |
| 250+ | $ 1.206 | $ 6.030 |
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Tipo de Encapsulado
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Tipo de Montaje
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Mejora
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Anchura
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Si
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1
Largo
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