MOSFET STMicroelectronics STF11NM80, VDSS 800 V, ID 11 A, TO-220FP de 3 pines, , config. Simple
Documentos Técnicos
Especificaciones
Brand
STMicroelectronicsTipo de Canal
N
Corriente Máxima Continua de Drenaje
11 A
Tensión Máxima Drenador-Fuente
800 V
Series
MDmesh
Tipo de Encapsulado
TO-220FP
Tipo de Montaje
Through Hole
Número de pines
3
Resistencia Máxima Drenador-Fuente
400 mΩ
Modo de Canal
Mejora
Tensión de umbral de puerta máxima
5V
Tensión de umbral de puerta mínima
3V
Disipación de Potencia Máxima
35000 mW
Configuración de transistor
Single
Tensión Máxima Puerta-Fuente
-30 V, +30 V
Número de Elementos por Chip
1
Anchura
4.6mm
Largo
10.4mm
Carga Típica de Puerta @ Vgs
43,6 nC a 10 V
Material del transistor
Si
Máxima Temperatura de Funcionamiento
+150 ºC
Mínima Temperatura de Funcionamiento
-65 °C
Altura
9.3mm
Datos del producto
MDmesh™ de canal N, 800 V/1500 V, STMicroelectronics
MOSFET Transistors, STMicroelectronics
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$ 307.150
$ 6.143 Each (In a Tube of 50) (Sin IVA)
$ 365.508
$ 7.310,17 Each (In a Tube of 50) (IVA Inc.)
50
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50
| Cantidad | Precio Unitario sin IVA | Por Tubo |
|---|---|---|
| 50 - 50 | $ 6.143 | $ 307.150 |
| 100 - 450 | $ 4.914 | $ 245.700 |
| 500 - 950 | $ 4.386 | $ 219.300 |
| 1000 - 4950 | $ 3.686 | $ 184.300 |
| 5000+ | $ 3.550 | $ 177.500 |
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N
Corriente Máxima Continua de Drenaje
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Tensión Máxima Drenador-Fuente
800 V
Series
MDmesh
Tipo de Encapsulado
TO-220FP
Tipo de Montaje
Through Hole
Número de pines
3
Resistencia Máxima Drenador-Fuente
400 mΩ
Modo de Canal
Mejora
Tensión de umbral de puerta máxima
5V
Tensión de umbral de puerta mínima
3V
Disipación de Potencia Máxima
35000 mW
Configuración de transistor
Single
Tensión Máxima Puerta-Fuente
-30 V, +30 V
Número de Elementos por Chip
1
Anchura
4.6mm
Largo
10.4mm
Carga Típica de Puerta @ Vgs
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Material del transistor
Si
Máxima Temperatura de Funcionamiento
+150 ºC
Mínima Temperatura de Funcionamiento
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