Documentos Técnicos
Especificaciones
Brand
STMicroelectronicsTipo de Producto
MOSFET
Tipo de Canal
N
Corriente continua máxima de drenaje ld
11A
Tensión máxima Drenador-Fuente Vds
800V
Encapsulado
TO-220
Serie
MDmesh
Tipo de Montaje
Through Hole
Número de pines
3
Resistencia máxima Drenador-Fuente Rds
400mΩ
Modo de canal
Enhancement
Disipación de potencia máxima Pd
35W
Temperatura de Funcionamiento Mínima
-65°C
Carga típica de puerta Qg @ Vgs
43.6nC
Tensión máxima de la fuente de la puerta
-30, +30V
Tensión directa Vf
860mV
Máxima Temperatura de Funcionamiento
150°C
Altura
9.3mm
Longitud:
10.4mm
Certificaciones y estándares
No
Ancho
4.6mm
Estándar de automoción
No
Datos del producto
Volver a intentar más tarde
P.O.A.
Empaque de Producción (Tubo)
1
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Especificaciones
Brand
STMicroelectronicsTipo de Producto
MOSFET
Tipo de Canal
N
Corriente continua máxima de drenaje ld
11A
Tensión máxima Drenador-Fuente Vds
800V
Encapsulado
TO-220
Serie
MDmesh
Tipo de Montaje
Through Hole
Número de pines
3
Resistencia máxima Drenador-Fuente Rds
400mΩ
Modo de canal
Enhancement
Disipación de potencia máxima Pd
35W
Temperatura de Funcionamiento Mínima
-65°C
Carga típica de puerta Qg @ Vgs
43.6nC
Tensión máxima de la fuente de la puerta
-30, +30V
Tensión directa Vf
860mV
Máxima Temperatura de Funcionamiento
150°C
Altura
9.3mm
Longitud:
10.4mm
Certificaciones y estándares
No
Ancho
4.6mm
Estándar de automoción
No
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