MOSFET de potencia FDmesh II, Tipo N-Canal STMicroelectronics STF11NM60ND, VDSS 600 V, ID 10 A, Mejora, TO-220FP de 3

Código de producto RS: 761-2745PMarca: STMicroelectronicsNúmero de parte de fabricante: STF11NM60ND
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Documentos Técnicos

Especificaciones

Brand

STMicroelectronics

Tipo de producto

MOSFET de potencia FDmesh II

Tipo de Canal

Type N

Corriente continua máxima de drenaje ld

10A

Tensión máxima Drenador-Fuente Vds

600V

Encapsulado

TO-220FP

Serie

FDmesh

Tipo de Montaje

Orificio pasante

Número de pines

3

Resistencia máxima Drenador-Fuente Rds

0.45Ω

Modo de canal

Mejora

Disipación de potencia máxima Pd

90W

Tensión máxima de la fuente de la puerta

±25 V

Mínima Temperatura de Funcionamiento

-55°C

Carga típica de puerta Qg @ Vgs

30nC

Tensión directa Vf

1.3V

Máxima Temperatura de Funcionamiento

150°C

Profundidad

4.6 mm

Altura

16.4mm

Largo

10.4mm

Certificaciones y estándares

RoHS

Estándar de automoción

No

Datos del producto

MOSFET de potencia FDmesh™ de canal N, STMicroelectronics

MOSFET Transistors, STMicroelectronics

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P.O.A.

MOSFET de potencia FDmesh II, Tipo N-Canal STMicroelectronics STF11NM60ND, VDSS 600 V, ID 10 A, Mejora, TO-220FP de 3
Seleccionar tipo de embalaje

Empaque de Producción (Tubo)

Seleccionar tipo de embalaje

Estándar - each

Disponible en múltiplos de 1.

Producción -

Disponible en múltiplos de 1.

Recomendado para órdenes de compra en grandes cantidades. Los artículos se empaquetan listos para insertarlos en la maquinaria, lo que le permite mejorar la eficiencia de la producción.

1

Disponible en múltiplos de 1
1P.O.A.
2P.O.A.
3P.O.A.
4P.O.A.
5P.O.A.
6P.O.A.
7P.O.A.
8P.O.A.
9P.O.A.
10P.O.A.
11P.O.A.
12P.O.A.
13P.O.A.
14P.O.A.
15P.O.A.

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