MOSFET de potencia FDmesh II, Tipo N-Canal STMicroelectronics, VDSS 600 V, ID 10 A, Mejora, TO-220FP de 3 pines

Código de producto RS: 168-7567Marca: STMicroelectronicsNúmero de parte de fabricante: STF11NM60ND
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Documentos Técnicos

Especificaciones

Brand

STMicroelectronics

Tipo de producto

MOSFET de potencia FDmesh II

Tipo de Canal

Type N

Corriente continua máxima de drenaje ld

10A

Tensión máxima Drenador-Fuente Vds

600V

Encapsulado

TO-220FP

Series

FDmesh

Tipo de soporte

Through Hole

Número de pines

3

Resistencia máxima Drenador-Fuente Rds

0.45Ω

Modo de Canal

Enhancement

Tensión máxima de la fuente de la puerta

±25 V

Temperatura Mínima de Funcionamiento

-55°C

Carga típica de puerta Qg @ Vgs

30nC

Disipación de potencia máxima Pd

90W

Tensión directa Vf

1.3V

Temperatura Máxima de Operación

150°C

Ancho

4.6 mm

Altura

16.4mm

Longitud

10.4mm

Certificaciones y estándares

No

Estándar de automoción

No

Datos del producto

MOSFET de potencia FDmesh™ de canal N, STMicroelectronics

MOSFET Transistors, STMicroelectronics

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$ 67.000

$ 1.340 Each (In a Tube of 50) (Sin IVA)

$ 79.730

$ 1.594,60 Each (In a Tube of 50) (IVA Inc.)

MOSFET de potencia FDmesh II, Tipo N-Canal STMicroelectronics, VDSS 600 V, ID 10 A, Mejora, TO-220FP de 3 pines

50

Disponible en múltiplos de 50
50$ 67.000
100$ 134.000
150$ 201.000
200$ 268.000
250$ 335.000
300$ 402.000
350$ 469.000
400$ 536.000
450$ 603.000
500$ 670.000
550$ 737.000
600$ 804.000
650$ 871.000
700$ 938.000
750$ 1.005.000

$ 67.000

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350$ 469.000
400$ 536.000
450$ 603.000
500$ 670.000
550$ 737.000
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Series

FDmesh

Tipo de soporte

Through Hole

Número de pines

3

Resistencia máxima Drenador-Fuente Rds

0.45Ω

Modo de Canal

Enhancement

Tensión máxima de la fuente de la puerta

±25 V

Temperatura Mínima de Funcionamiento

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Carga típica de puerta Qg @ Vgs

30nC

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90W

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1.3V

Temperatura Máxima de Operación

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Ancho

4.6 mm

Altura

16.4mm

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