MOSFET STMicroelectronics STE53NC50, VDSS 500 V, ID 53 A, ISOTOP de 4 pines, , config. Simple
Documentos Técnicos
Especificaciones
Brand
STMicroelectronicsTipo de Canal
N
Corriente Máxima Continua de Drenaje
53 A
Tensión Máxima Drenador-Fuente
500 V
Series
MDmesh, SuperMESH
Tipo de Encapsulado
ISOTOP
Tipo de Montaje
Screw Mount
Número de pines
4
Resistencia Máxima Drenador-Fuente
80 m.Ω
Modo de Canal
Mejora
Tensión de umbral de puerta máxima
4V
Tensión de umbral de puerta mínima
2V
Disipación de Potencia Máxima
460000 mW
Configuración de transistor
Single
Tensión Máxima Puerta-Fuente
-30 V, +30 V
Carga Típica de Puerta @ Vgs
310 nC a 10 V
Anchura
25.5mm
Material del transistor
Si
Número de Elementos por Chip
1
Largo
38.2mm
Máxima Temperatura de Funcionamiento
+150 ºC
Altura
9.1mm
Mínima Temperatura de Funcionamiento
-65 °C
Datos del producto
MDmesh™ de canal N SuperMESH™, 250 V a 650 V, STMicroelectronics
MOSFET Transistors, STMicroelectronics
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$ 52.101
$ 52.101 Each (Sin IVA)
$ 62.000
$ 62.000 Each (IVA Inc.)
1
$ 52.101
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1
| Cantidad | Precio Unitario sin IVA |
|---|---|
| 1 - 9 | $ 52.101 |
| 10 - 49 | $ 48.085 |
| 50 - 99 | $ 45.896 |
| 100 - 199 | $ 40.478 |
| 200+ | $ 37.769 |
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Tipo de Encapsulado
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4
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80 m.Ω
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Mejora
Tensión de umbral de puerta máxima
4V
Tensión de umbral de puerta mínima
2V
Disipación de Potencia Máxima
460000 mW
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Single
Tensión Máxima Puerta-Fuente
-30 V, +30 V
Carga Típica de Puerta @ Vgs
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Anchura
25.5mm
Material del transistor
Si
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1
Largo
38.2mm
Máxima Temperatura de Funcionamiento
+150 ºC
Altura
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