MOSFET, Tipo N-Canal STMicroelectronics, VDSS 500 V, ID 53 A, Mejora, ISOTOP de 4 pines

Documentos Técnicos
Especificaciones
Brand
STMicroelectronicsTipo de producto
MOSFET
Tipo de canal
Type N
Corriente continua máxima de drenaje ld
53A
Tensión máxima Drenador-Fuente Vds
500V
Tipo de paquete
ISOTOP
Tipo de Montaje
Panel
Número de pines
4
Resistencia máxima Drenador-Fuente Rds
80mΩ
Modo de canal
Enhancement
Disipación de potencia máxima Pd
460W
Tensión máxima de la fuente de la puerta
30 V
Temperatura Mínima de Operación
-65°C
Carga típica de puerta Qg @ Vgs
310nC
Tensión directa Vf
1.6V
Máxima Temperatura de Funcionamiento
150°C
Ancho
25.5 mm
Altura
9.1mm
Longitud
38.2mm
Certificaciones y estándares
No
Estándar de automoción
No
Datos del producto
MDmesh™ de canal N SuperMESH™, 250 V a 650 V, STMicroelectronics
MOSFET Transistors, STMicroelectronics
Volver a intentar más tarde
$ 52.101
$ 52.101 Each (Sin IVA)
$ 62.000
$ 62.000 Each (IVA Inc.)
1
$ 52.101
$ 52.101 Each (Sin IVA)
$ 62.000
$ 62.000 Each (IVA Inc.)
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1
| Cantidad | Precio Unitario sin IVA |
|---|---|
| 1 - 9 | $ 52.101 |
| 10 - 49 | $ 48.085 |
| 50 - 99 | $ 45.896 |
| 100 - 199 | $ 40.478 |
| 200+ | $ 37.769 |
Documentos Técnicos
Especificaciones
Brand
STMicroelectronicsTipo de producto
MOSFET
Tipo de canal
Type N
Corriente continua máxima de drenaje ld
53A
Tensión máxima Drenador-Fuente Vds
500V
Tipo de paquete
ISOTOP
Tipo de Montaje
Panel
Número de pines
4
Resistencia máxima Drenador-Fuente Rds
80mΩ
Modo de canal
Enhancement
Disipación de potencia máxima Pd
460W
Tensión máxima de la fuente de la puerta
30 V
Temperatura Mínima de Operación
-65°C
Carga típica de puerta Qg @ Vgs
310nC
Tensión directa Vf
1.6V
Máxima Temperatura de Funcionamiento
150°C
Ancho
25.5 mm
Altura
9.1mm
Longitud
38.2mm
Certificaciones y estándares
No
Estándar de automoción
No
Datos del producto

