Documentos Técnicos
Especificaciones
Brand
STMicroelectronicsTipo de Canal
Type N
Tipo de producto
MOSFET
Corriente continua máxima de drenaje ld
53A
Tensión máxima Drenador-Fuente Vds
500V
Encapsulado
ISOTOP
Tipo de soporte
Panel
Número de pines
4
Resistencia máxima Drenador-Fuente Rds
80mΩ
Modo de Canal
Enhancement
Temperatura Mínima de Funcionamiento
-65°C
Tensión directa Vf
1.6V
Carga típica de puerta Qg @ Vgs
310nC
Disipación de potencia máxima Pd
460W
Tensión máxima de la fuente de la puerta
30 V
Temperatura Máxima de Operación
150°C
Certificaciones y estándares
No
Ancho
25.5 mm
Longitud
38.2mm
Altura
9.1mm
Estándar de automoción
No
Datos del producto
MDmesh™ de canal N SuperMESH™, 250 V a 650 V, STMicroelectronics
MOSFET Transistors, STMicroelectronics
Volver a intentar más tarde
$ 464.310
$ 46.431 Each (In a Tube of 10) (Sin IVA)
$ 552.529
$ 55.252,89 Each (In a Tube of 10) (IVA Inc.)
10
$ 464.310
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$ 552.529
$ 55.252,89 Each (In a Tube of 10) (IVA Inc.)
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10
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Especificaciones
Brand
STMicroelectronicsTipo de Canal
Type N
Tipo de producto
MOSFET
Corriente continua máxima de drenaje ld
53A
Tensión máxima Drenador-Fuente Vds
500V
Encapsulado
ISOTOP
Tipo de soporte
Panel
Número de pines
4
Resistencia máxima Drenador-Fuente Rds
80mΩ
Modo de Canal
Enhancement
Temperatura Mínima de Funcionamiento
-65°C
Tensión directa Vf
1.6V
Carga típica de puerta Qg @ Vgs
310nC
Disipación de potencia máxima Pd
460W
Tensión máxima de la fuente de la puerta
30 V
Temperatura Máxima de Operación
150°C
Certificaciones y estándares
No
Ancho
25.5 mm
Longitud
38.2mm
Altura
9.1mm
Estándar de automoción
No
Datos del producto


