Documentos Técnicos
Especificaciones
Brand
STMicroelectronicsTipo de producto
MOSFET
Tipo de Canal
Type N
Corriente continua máxima de drenaje ld
40A
Tensión máxima Drenador-Fuente Vds
600V
Encapsulado
ISOTOP
Tipo de soporte
Panel
Número de pines
4
Resistencia máxima Drenador-Fuente Rds
130mΩ
Modo de Canal
Enhancement
Carga típica de puerta Qg @ Vgs
307.5nC
Disipación de potencia máxima Pd
460W
Tensión máxima de la fuente de la puerta
±30 V
Temperatura Mínima de Funcionamiento
-65°C
Tensión directa Vf
1.3V
Temperatura Máxima de Operación
150°C
Ancho
25.5 mm
Longitud
38.2mm
Altura
9.1mm
Certificaciones y estándares
No
Estándar de automoción
No
Datos del producto
MDmesh™ de canal N SuperMESH™, 250 V a 650 V, STMicroelectronics
MOSFET Transistors, STMicroelectronics
Volver a intentar más tarde
$ 451.240
$ 45.124 Each (In a Tube of 10) (Sin IVA)
$ 536.976
$ 53.697,56 Each (In a Tube of 10) (IVA Inc.)
10
$ 451.240
$ 45.124 Each (In a Tube of 10) (Sin IVA)
$ 536.976
$ 53.697,56 Each (In a Tube of 10) (IVA Inc.)
Volver a intentar más tarde
10
| Cantidad | Precio Unitario sin IVA | Por Tubo |
|---|---|---|
| 10 - 40 | $ 45.124 | $ 451.240 |
| 50 - 90 | $ 43.094 | $ 430.940 |
| 100 - 190 | $ 37.994 | $ 379.940 |
| 200 - 490 | $ 35.469 | $ 354.690 |
| 500+ | $ 32.940 | $ 329.400 |
Documentos Técnicos
Especificaciones
Brand
STMicroelectronicsTipo de producto
MOSFET
Tipo de Canal
Type N
Corriente continua máxima de drenaje ld
40A
Tensión máxima Drenador-Fuente Vds
600V
Encapsulado
ISOTOP
Tipo de soporte
Panel
Número de pines
4
Resistencia máxima Drenador-Fuente Rds
130mΩ
Modo de Canal
Enhancement
Carga típica de puerta Qg @ Vgs
307.5nC
Disipación de potencia máxima Pd
460W
Tensión máxima de la fuente de la puerta
±30 V
Temperatura Mínima de Funcionamiento
-65°C
Tensión directa Vf
1.3V
Temperatura Máxima de Operación
150°C
Ancho
25.5 mm
Longitud
38.2mm
Altura
9.1mm
Certificaciones y estándares
No
Estándar de automoción
No
Datos del producto


