MOSFET STMicroelectronics STE40NC60, VDSS 600 V, ID 40 A, ISOTOP de 4 pines, , config. Simple
Documentos Técnicos
Especificaciones
Brand
STMicroelectronicsTipo de Canal
N
Corriente Máxima Continua de Drenaje
-40 A
Tensión Máxima Drenador-Fuente
600 V
Series
MDmesh, SuperMESH
Tipo de Encapsulado
ISOTOP
Tipo de Montaje
Screw Mount
Número de pines
4
Resistencia Máxima Drenador-Fuente
130 mΩ
Modo de Canal
Mejora
Tensión de umbral de puerta máxima
4V
Tensión de umbral de puerta mínima
2V
Disipación de Potencia Máxima
460000 mW
Configuración de transistor
Single
Tensión Máxima Puerta-Fuente
-30 V, +30 V
Anchura
25.5mm
Material del transistor
Si
Número de Elementos por Chip
1
Largo
38.2mm
Carga Típica de Puerta @ Vgs
307,5 nC a 10 V
Máxima Temperatura de Funcionamiento
+150 ºC
Altura
9.1mm
Mínima Temperatura de Funcionamiento
-65 °C
Datos del producto
MDmesh™ de canal N SuperMESH™, 250 V a 650 V, STMicroelectronics
MOSFET Transistors, STMicroelectronics
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$ 451.240
$ 45.124 Each (In a Tube of 10) (Sin IVA)
$ 536.976
$ 53.697,56 Each (In a Tube of 10) (IVA Inc.)
10
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10
| Cantidad | Precio Unitario sin IVA | Por Tubo |
|---|---|---|
| 10 - 40 | $ 45.124 | $ 451.240 |
| 50 - 90 | $ 43.094 | $ 430.940 |
| 100 - 190 | $ 37.994 | $ 379.940 |
| 200 - 490 | $ 35.469 | $ 354.690 |
| 500+ | $ 32.940 | $ 329.400 |
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N
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-40 A
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Tipo de Encapsulado
ISOTOP
Tipo de Montaje
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Número de pines
4
Resistencia Máxima Drenador-Fuente
130 mΩ
Modo de Canal
Mejora
Tensión de umbral de puerta máxima
4V
Tensión de umbral de puerta mínima
2V
Disipación de Potencia Máxima
460000 mW
Configuración de transistor
Single
Tensión Máxima Puerta-Fuente
-30 V, +30 V
Anchura
25.5mm
Material del transistor
Si
Número de Elementos por Chip
1
Largo
38.2mm
Carga Típica de Puerta @ Vgs
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Máxima Temperatura de Funcionamiento
+150 ºC
Altura
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