MOSFET, Tipo N-Canal STMicroelectronics STD9N60M2, VDSS 650 V, ID 5.5 A, Mejora, TO-252 de 3 pines
Documentos Técnicos
Especificaciones
Brand
STMicroelectronicsTipo de Canal
Type N
Tipo de producto
MOSFET
Corriente continua máxima de drenaje ld
5.5A
Tensión máxima Drenador-Fuente Vds
650V
Encapsulado
TO-252
Series
MDmesh M2
Tipo de soporte
Surface
Número de pines
3
Resistencia máxima Drenador-Fuente Rds
780mΩ
Modo de Canal
Enhancement
Tensión directa Vf
1.6V
Disipación de potencia máxima Pd
60W
Tensión máxima de la fuente de la puerta
25 V
Temperatura Mínima de Funcionamiento
-55°C
Carga típica de puerta Qg @ Vgs
10nC
Temperatura Máxima de Operación
150°C
Ancho
6.2 mm
Altura
2.4mm
Longitud
6.6mm
Certificaciones y estándares
No
Estándar de automoción
No
Datos del producto
MDmesh™ de canal N serie M2, STMicroelectronics
Una gama de MOSFET de potencia de alta tensión de STMicroelectronics. Gracias a su carga de compuerta baja y a sus excelentes características de capacitancia, la serie MDmesh M2 es perfecta para su uso en fuentes de conmutación de tipo resonante (convertidores LLC).
MOSFET Transistors, STMicroelectronics
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$ 7.435
$ 1.487 Each (In a Pack of 5) (Sin IVA)
$ 8.848
$ 1.769,53 Each (In a Pack of 5) (IVA Inc.)
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5
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| Cantidad | Precio Unitario sin IVA | Por Pack |
|---|---|---|
| 5 - 5 | $ 1.487 | $ 7.435 |
| 10 - 95 | $ 1.257 | $ 6.285 |
| 100 - 495 | $ 939 | $ 4.695 |
| 500+ | $ 800 | $ 4.000 |
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Encapsulado
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Tipo de soporte
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Número de pines
3
Resistencia máxima Drenador-Fuente Rds
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Modo de Canal
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Tensión directa Vf
1.6V
Disipación de potencia máxima Pd
60W
Tensión máxima de la fuente de la puerta
25 V
Temperatura Mínima de Funcionamiento
-55°C
Carga típica de puerta Qg @ Vgs
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Temperatura Máxima de Operación
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Ancho
6.2 mm
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Longitud
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No
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