MOSFET, Tipo N-Canal STMicroelectronics, VDSS 650 V, ID 5.5 A, Mejora, TO-252 de 3 pines
Documentos Técnicos
Especificaciones
Brand
STMicroelectronicsTipo de Canal
Type N
Tipo de producto
MOSFET
Corriente continua máxima de drenaje ld
5.5A
Tensión máxima Drenador-Fuente Vds
650V
Encapsulado
TO-252
Series
MDmesh M2
Tipo de soporte
Surface
Número de pines
3
Resistencia máxima Drenador-Fuente Rds
780mΩ
Modo de Canal
Enhancement
Disipación de potencia máxima Pd
60W
Tensión máxima de la fuente de la puerta
25 V
Temperatura Mínima de Funcionamiento
-55°C
Carga típica de puerta Qg @ Vgs
10nC
Tensión directa Vf
1.6V
Temperatura Máxima de Operación
150°C
Ancho
6.2 mm
Altura
2.4mm
Longitud
6.6mm
Certificaciones y estándares
No
Estándar de automoción
No
País de Origen
China
Datos del producto
MDmesh™ de canal N serie M2, STMicroelectronics
Una gama de MOSFET de potencia de alta tensión de STMicroelectronics. Gracias a su carga de compuerta baja y a sus excelentes características de capacitancia, la serie MDmesh M2 es perfecta para su uso en fuentes de conmutación de tipo resonante (convertidores LLC).
MOSFET Transistors, STMicroelectronics
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$ 1.772.500
$ 709 Each (On a Reel of 2500) (Sin IVA)
$ 2.109.275
$ 843,71 Each (On a Reel of 2500) (IVA Inc.)
2500
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MOSFET
Corriente continua máxima de drenaje ld
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Tensión máxima Drenador-Fuente Vds
650V
Encapsulado
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Series
MDmesh M2
Tipo de soporte
Surface
Número de pines
3
Resistencia máxima Drenador-Fuente Rds
780mΩ
Modo de Canal
Enhancement
Disipación de potencia máxima Pd
60W
Tensión máxima de la fuente de la puerta
25 V
Temperatura Mínima de Funcionamiento
-55°C
Carga típica de puerta Qg @ Vgs
10nC
Tensión directa Vf
1.6V
Temperatura Máxima de Operación
150°C
Ancho
6.2 mm
Altura
2.4mm
Longitud
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Certificaciones y estándares
No
Estándar de automoción
No
País de Origen
China
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