Documentos Técnicos
Especificaciones
Brand
STMicroelectronicsTipo de producto
MOSFET
Tipo de Canal
Type N
Corriente continua máxima de drenaje ld
7A
Tensión máxima Drenador-Fuente Vds
710V
Encapsulado
TO-252
Tipo de Montaje
Superficie
Número de pines
3
Resistencia máxima Drenador-Fuente Rds
600mΩ
Modo de canal
Enhancement
Disipación de potencia máxima Pd
70W
Mínima Temperatura de Funcionamiento
-55°C
Carga típica de puerta Qg @ Vgs
15nC
Tensión directa Vf
1.5V
Tensión máxima de la fuente de la puerta
25V
Máxima Temperatura de Funcionamiento
150°C
Altura
2.17mm
Longitud
6.6mm
Certificaciones y estándares
RoHS
Ancho
6.2mm
Estándar de automoción
No
Datos del producto
These devices are N-channel MDmesh™ V Power MOSFETs based on an innovative proprietary vertical process technology, which is combined with STMicroelectronics well-known PowerMESH™ horizontal layout structure. The resulting product has extremely low on-resistance, which is unmatched among silicon-based Power MOSFETs, making it especially suitable for applications which require superior power density and outstanding efficiency.
Idear. Crear. Colaborar
ÚNASE GRATIS
¡Sin cuotas escondidas!
Volver a intentar más tarde
$ 3.905.000
$ 1.562 Each (On a Reel of 2500) (Sin IVA)
$ 4.646.950
$ 1.858,78 Each (On a Reel of 2500) (IVA Inc.)
2500
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Tipo de Canal
Type N
Corriente continua máxima de drenaje ld
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Tensión máxima Drenador-Fuente Vds
710V
Encapsulado
TO-252
Tipo de Montaje
Superficie
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3
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Modo de canal
Enhancement
Disipación de potencia máxima Pd
70W
Mínima Temperatura de Funcionamiento
-55°C
Carga típica de puerta Qg @ Vgs
15nC
Tensión directa Vf
1.5V
Tensión máxima de la fuente de la puerta
25V
Máxima Temperatura de Funcionamiento
150°C
Altura
2.17mm
Longitud
6.6mm
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RoHS
Ancho
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No
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These devices are N-channel MDmesh™ V Power MOSFETs based on an innovative proprietary vertical process technology, which is combined with STMicroelectronics well-known PowerMESH™ horizontal layout structure. The resulting product has extremely low on-resistance, which is unmatched among silicon-based Power MOSFETs, making it especially suitable for applications which require superior power density and outstanding efficiency.
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