Documentos Técnicos
Especificaciones
Brand
STMicroelectronicsTipo de Producto
MOSFET
Tipo de canal
Type N
Corriente continua máxima de drenaje ld
7A
Tensión máxima Drenador-Fuente Vds
710V
Tipo de Pack
TO-252
Tipo de Montaje
Superficie
Número de pines
3
Resistencia máxima Drenador-Fuente Rds
600mΩ
Modo de canal
Enhancement
Carga típica de puerta Qg @ Vgs
15nC
Disipación de potencia máxima Pd
70W
Temperatura Mínima de Funcionamiento
-55°C
Tensión directa Vf
1.5V
Temperatura Máxima de Operación
150°C
Largo
6.6mm
Altura
2.17mm
Certificaciones y estándares
No
Estándar de automoción
No
Datos del producto
These devices are N-channel MDmesh™ V Power MOSFETs based on an innovative proprietary vertical process technology, which is combined with STMicroelectronics well-known PowerMESH™ horizontal layout structure. The resulting product has extremely low on-resistance, which is unmatched among silicon-based Power MOSFETs, making it especially suitable for applications which require superior power density and outstanding efficiency.
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ÚNASE GRATIS
¡Sin cuotas escondidas!
Volver a intentar más tarde
$ 3.905.000
$ 1.562 Each (On a Reel of 2500) (Sin IVA)
$ 4.646.950
$ 1.858,78 Each (On a Reel of 2500) (IVA Inc.)
2500
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Tipo de canal
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Corriente continua máxima de drenaje ld
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Tipo de Pack
TO-252
Tipo de Montaje
Superficie
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3
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600mΩ
Modo de canal
Enhancement
Carga típica de puerta Qg @ Vgs
15nC
Disipación de potencia máxima Pd
70W
Temperatura Mínima de Funcionamiento
-55°C
Tensión directa Vf
1.5V
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150°C
Largo
6.6mm
Altura
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No
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