Documentos Técnicos
Especificaciones
Brand
STMicroelectronicsTipo de Producto
MOSFET
Tipo de canal
Type N
Corriente continua máxima de drenaje ld
55A
Tensión máxima Drenador-Fuente Vds
650V
Tipo de Encapsulado
TO-252
Serie
STD
Tipo de Montaje
Orificio pasante
Número de pines
3
Resistencia máxima Drenador-Fuente Rds
45mΩ
Modo de canal
Enhancement
Carga típica de puerta Qg @ Vgs
14nC
Disipación de potencia máxima Pd
70W
Temperatura de Funcionamiento Mínima
-55°C
Tensión directa Vf
1.5V
Máxima Temperatura de Funcionamiento
175°C
Longitud
6.6mm
Altura
2.4mm
Certificaciones y estándares
UL
Estándar de automoción
AEC-Q101
Datos del producto
El dispositivo MOSFET STMicroelectronics es un MOSFET de potencia de canal N desarrollado usando la tecnología STripFET H5 de STMicroelectronics. Este dispositivo se ha optimizado para lograr una resistencia de encendido muy baja.
Volver a intentar más tarde
P.O.A.
Each (Supplied on a Reel) (Sin IVA)
Empaque de Producción (Rollo)
5
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5
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Especificaciones
Brand
STMicroelectronicsTipo de Producto
MOSFET
Tipo de canal
Type N
Corriente continua máxima de drenaje ld
55A
Tensión máxima Drenador-Fuente Vds
650V
Tipo de Encapsulado
TO-252
Serie
STD
Tipo de Montaje
Orificio pasante
Número de pines
3
Resistencia máxima Drenador-Fuente Rds
45mΩ
Modo de canal
Enhancement
Carga típica de puerta Qg @ Vgs
14nC
Disipación de potencia máxima Pd
70W
Temperatura de Funcionamiento Mínima
-55°C
Tensión directa Vf
1.5V
Máxima Temperatura de Funcionamiento
175°C
Longitud
6.6mm
Altura
2.4mm
Certificaciones y estándares
UL
Estándar de automoción
AEC-Q101
Datos del producto
El dispositivo MOSFET STMicroelectronics es un MOSFET de potencia de canal N desarrollado usando la tecnología STripFET H5 de STMicroelectronics. Este dispositivo se ha optimizado para lograr una resistencia de encendido muy baja.