Documentos Técnicos
Especificaciones
Brand
STMicroelectronicsTipo de producto
MOSFET
Tipo de Canal
Type N
Corriente continua máxima de drenaje ld
80A
Tensión máxima Drenador-Fuente Vds
40V
Encapsulado
TO-252
Serie
DeepGate, STripFET
Tipo de soporte
Surface
Número de pines
3
Resistencia máxima Drenador-Fuente Rds
6mΩ
Modo de canal
Enhancement
Disipación de potencia máxima Pd
70W
Mínima Temperatura de Funcionamiento
-55°C
Carga típica de puerta Qg @ Vgs
36nC
Tensión directa Vf
1.3V
Temperatura Máxima de Operación
175°C
Altura
2.4mm
Longitud
6.6mm
Certificaciones y estándares
No
Estándar de automoción
AEC-Q101
Datos del producto
STripFET™ de canal N DeepGate™, STMicroelectronics
Los MOSFET STripFET™ tienen un amplio rango de tensión de ruptura y ofrecen carga de puerta ultrabaja y baja resistencia encendidos.
MOSFET Transistors, STMicroelectronics
Volver a intentar más tarde
P.O.A.
Each (Supplied on a Reel) (Sin IVA)
Empaque de Producción (Rollo)
10
P.O.A.
Each (Supplied on a Reel) (Sin IVA)
Volver a intentar más tarde
Empaque de Producción (Rollo)
10
Documentos Técnicos
Especificaciones
Brand
STMicroelectronicsTipo de producto
MOSFET
Tipo de Canal
Type N
Corriente continua máxima de drenaje ld
80A
Tensión máxima Drenador-Fuente Vds
40V
Encapsulado
TO-252
Serie
DeepGate, STripFET
Tipo de soporte
Surface
Número de pines
3
Resistencia máxima Drenador-Fuente Rds
6mΩ
Modo de canal
Enhancement
Disipación de potencia máxima Pd
70W
Mínima Temperatura de Funcionamiento
-55°C
Carga típica de puerta Qg @ Vgs
36nC
Tensión directa Vf
1.3V
Temperatura Máxima de Operación
175°C
Altura
2.4mm
Longitud
6.6mm
Certificaciones y estándares
No
Estándar de automoción
AEC-Q101
Datos del producto
STripFET™ de canal N DeepGate™, STMicroelectronics
Los MOSFET STripFET™ tienen un amplio rango de tensión de ruptura y ofrecen carga de puerta ultrabaja y baja resistencia encendidos.


