MOSFET, Tipo N-Canal STMicroelectronics, VDSS 40 V, ID 80 A, Mejora, TO-252 de 3 pines
Documentos Técnicos
Especificaciones
Brand
STMicroelectronicsTipo de producto
MOSFET
Tipo de Canal
Type N
Corriente continua máxima de drenaje ld
80A
Tensión máxima Drenador-Fuente Vds
40V
Serie
DeepGate, STripFET
Encapsulado
TO-252
Tipo de Montaje
Surface
Número de pines
3
Resistencia máxima Drenador-Fuente Rds
6mΩ
Modo de canal
Mejora
Carga típica de puerta Qg @ Vgs
36nC
Tensión directa Vf
1.3V
Temperatura de Funcionamiento Mínima
-55°C
Disipación de potencia máxima Pd
70W
Tensión máxima de la fuente de la puerta
20 V
Temperatura Máxima de Operación
175°C
Longitud
6.6mm
Certificaciones y estándares
RoHS
Profundidad
6.2 mm
Altura
2.4mm
Estándar de automoción
AEC-Q101
País de Origen
China
Datos del producto
STripFET™ de canal N DeepGate™, STMicroelectronics
Los MOSFET STripFET™ tienen un amplio rango de tensión de ruptura y ofrecen carga de puerta ultrabaja y baja resistencia encendidos.
MOSFET Transistors, STMicroelectronics
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$ 2.480.000
$ 992 Each (On a Reel of 2500) (Sin IVA)
$ 2.951.200
$ 1.180,48 Each (On a Reel of 2500) (IVA Inc.)
2500
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Serie
DeepGate, STripFET
Encapsulado
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Surface
Número de pines
3
Resistencia máxima Drenador-Fuente Rds
6mΩ
Modo de canal
Mejora
Carga típica de puerta Qg @ Vgs
36nC
Tensión directa Vf
1.3V
Temperatura de Funcionamiento Mínima
-55°C
Disipación de potencia máxima Pd
70W
Tensión máxima de la fuente de la puerta
20 V
Temperatura Máxima de Operación
175°C
Longitud
6.6mm
Certificaciones y estándares
RoHS
Profundidad
6.2 mm
Altura
2.4mm
Estándar de automoción
AEC-Q101
País de Origen
China
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