Documentos Técnicos
Especificaciones
Brand
STMicroelectronicsTipo de Canal
N
Corriente Máxima Continua de Drenaje
5.4 A
Tensión Máxima Drenador-Fuente
400 V
Series
MDmesh, SuperMESH
Tipo de Encapsulado
DPAK (TO-252)
Tipo de Montaje
Surface Mount
Número de pines
3
Resistencia Máxima Drenador-Fuente
1 Ω
Modo de Canal
Mejora
Tensión de umbral de puerta máxima
4.5V
Tensión de umbral de puerta mínima
3V
Disipación de Potencia Máxima
70000 mW
Configuración de transistor
Single
Tensión Máxima Puerta-Fuente
-30 V, +30 V
Material del transistor
Si
Número de Elementos por Chip
1
Largo
6.6mm
Carga Típica de Puerta @ Vgs
19 nC a 10 V
Máxima Temperatura de Funcionamiento
+150 ºC
Anchura
6.2mm
Mínima Temperatura de Funcionamiento
-55 °C
Altura
2.4mm
Datos del producto
MDmesh™ de canal N SuperMESH™, 250 V a 650 V, STMicroelectronics
MOSFET Transistors, STMicroelectronics
P.O.A.
Each (On a Reel of 2500) (Sin IVA)
2500
P.O.A.
Each (On a Reel of 2500) (Sin IVA)
Volver a intentar más tarde
2500
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Documentos Técnicos
Especificaciones
Brand
STMicroelectronicsTipo de Canal
N
Corriente Máxima Continua de Drenaje
5.4 A
Tensión Máxima Drenador-Fuente
400 V
Series
MDmesh, SuperMESH
Tipo de Encapsulado
DPAK (TO-252)
Tipo de Montaje
Surface Mount
Número de pines
3
Resistencia Máxima Drenador-Fuente
1 Ω
Modo de Canal
Mejora
Tensión de umbral de puerta máxima
4.5V
Tensión de umbral de puerta mínima
3V
Disipación de Potencia Máxima
70000 mW
Configuración de transistor
Single
Tensión Máxima Puerta-Fuente
-30 V, +30 V
Material del transistor
Si
Número de Elementos por Chip
1
Largo
6.6mm
Carga Típica de Puerta @ Vgs
19 nC a 10 V
Máxima Temperatura de Funcionamiento
+150 ºC
Anchura
6.2mm
Mínima Temperatura de Funcionamiento
-55 °C
Altura
2.4mm
Datos del producto


