MOSFET STMicroelectronics STD7NK40ZT4, VDSS 400 V, ID 5,4 A, DPAK (TO-252) de 3 pines, , config. Simple

Código de producto RS: 920-6585Marca: STMicroelectronicsNúmero de parte de fabricante: STD7NK40ZT4
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Documentos Técnicos

Especificaciones

Tipo de Canal

N

Corriente Máxima Continua de Drenaje

5.4 A

Tensión Máxima Drenador-Fuente

400 V

Series

MDmesh, SuperMESH

Tipo de Encapsulado

DPAK (TO-252)

Tipo de Montaje

Surface Mount

Número de pines

3

Resistencia Máxima Drenador-Fuente

1 Ω

Modo de Canal

Mejora

Tensión de umbral de puerta máxima

4.5V

Tensión de umbral de puerta mínima

3V

Disipación de Potencia Máxima

70000 mW

Configuración de transistor

Single

Tensión Máxima Puerta-Fuente

-30 V, +30 V

Material del transistor

Si

Número de Elementos por Chip

1

Largo

6.6mm

Carga Típica de Puerta @ Vgs

19 nC a 10 V

Máxima Temperatura de Funcionamiento

+150 ºC

Anchura

6.2mm

Mínima Temperatura de Funcionamiento

-55 °C

Altura

2.4mm

Datos del producto

MDmesh™ de canal N SuperMESH™, 250 V a 650 V, STMicroelectronics

MOSFET Transistors, STMicroelectronics

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P.O.A.

Each (On a Reel of 2500) (Sin IVA)

MOSFET STMicroelectronics STD7NK40ZT4, VDSS 400 V, ID 5,4 A, DPAK (TO-252) de 3 pines, , config. Simple

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Tipo de Canal

N

Corriente Máxima Continua de Drenaje

5.4 A

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Series

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Tipo de Encapsulado

DPAK (TO-252)

Tipo de Montaje

Surface Mount

Número de pines

3

Resistencia Máxima Drenador-Fuente

1 Ω

Modo de Canal

Mejora

Tensión de umbral de puerta máxima

4.5V

Tensión de umbral de puerta mínima

3V

Disipación de Potencia Máxima

70000 mW

Configuración de transistor

Single

Tensión Máxima Puerta-Fuente

-30 V, +30 V

Material del transistor

Si

Número de Elementos por Chip

1

Largo

6.6mm

Carga Típica de Puerta @ Vgs

19 nC a 10 V

Máxima Temperatura de Funcionamiento

+150 ºC

Anchura

6.2mm

Mínima Temperatura de Funcionamiento

-55 °C

Altura

2.4mm

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