MOSFET de potencia, Canal N-Canal STMicroelectronics STD70N10F4, VDSS 100 V, ID 60 A, Mejora, TO-252 de 2 pines

Brand

Tipo de producto

MOSFET de potencia

Tipo de Canal

Canal N

Corriente continua máxima de drenaje ld

60A

Tensión máxima Drenador-Fuente Vds

100V

Encapsulado

TO-252

Serie

STP

Tipo de Montaje

Surface Mount

Número de pines

2

Resistencia máxima Drenador-Fuente Rds

0.0195Ω

Modo de canal

Mejora

Carga típica de puerta Qg @ Vgs

85nC

Disipación de potencia máxima Pd

125W

Tensión máxima de la fuente de la puerta

±20 V

Mínima Temperatura de Funcionamiento

-55°C

Tensión directa Vf

1.5V

Máxima Temperatura de Funcionamiento

175°C

Profundidad

6.6 mm

Longitud

6.2mm

Altura

2.4mm