MOSFET de potencia, Canal N-Canal STMicroelectronics STD70N10F4, VDSS 100 V, ID 60 A, Mejora, TO-252 de 2 pines

Código de producto RS: 719-650Marca: STMicroelectronicsNúmero de parte de fabricante: STD70N10F4
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Documentos Técnicos

Especificaciones

Brand

STMicroelectronics

Tipo de Producto

MOSFET de potencia

Tipo de canal

Canal N

Corriente continua máxima de drenaje ld

60A

Tensión máxima Drenador-Fuente Vds

100V

Encapsulado

TO-252

Serie

STP

Tipo de Montaje

Surface Mount

Número de pines

2

Resistencia máxima Drenador-Fuente Rds

0.0195Ω

Modo de Canal

Enhancement

Carga típica de puerta Qg @ Vgs

85nC

Disipación de potencia máxima Pd

125W

Temperatura de Funcionamiento Mínima

-55°C

Tensión directa Vf

1.5V

Temperatura de Funcionamiento Máxima

175°C

Longitud:

6.2mm

Altura

2.4mm

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MOSFET de potencia, Canal N-Canal STMicroelectronics STD70N10F4, VDSS 100 V, ID 60 A, Mejora, TO-252 de 2 pines

1

Disponible en múltiplos de 1
1P.O.A.
2P.O.A.
3P.O.A.
4P.O.A.
5P.O.A.
6P.O.A.
7P.O.A.
8P.O.A.
9P.O.A.
10P.O.A.
11P.O.A.
12P.O.A.
13P.O.A.
14P.O.A.
15P.O.A.

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0.0195Ω

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