MOSFET, Tipo N-Canal STMicroelectronics STD6N60M2, VDSS 650 V, ID 4.5 A, Mejora, TO-252 de 3 pines

Código de producto RS: 786-3615Marca: STMicroelectronicsNúmero de parte de fabricante: STD6N60M2
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Documentos Técnicos

Especificaciones

Tipo de Producto

MOSFET

Tipo de canal

Type N

Corriente continua máxima de drenaje ld

4.5A

Tensión máxima Drenador-Fuente Vds

650V

Serie

MDmesh M2

Encapsulado

TO-252

Tipo de Montaje

Superficie

Número de pines

3

Resistencia máxima Drenador-Fuente Rds

1.2Ω

Modo de Canal

Enhancement

Tensión directa Vf

1.6V

Disipación de potencia máxima Pd

60W

Temperatura de Funcionamiento Mínima

-55°C

Carga típica de puerta Qg @ Vgs

8nC

Máxima Temperatura de Funcionamiento

150°C

Certificaciones y estándares

No

Longitud:

6.6mm

Altura

2.4mm

Estándar de automoción

No

Datos del producto

MDmesh™ de canal N serie M2, STMicroelectronics

Una gama de MOSFET de potencia de alta tensión de STMicroelectronics. Gracias a su carga de compuerta baja y a sus excelentes características de capacitancia, la serie MDmesh M2 es perfecta para su uso en fuentes de conmutación de tipo resonante (convertidores LLC).

MOSFET Transistors, STMicroelectronics

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$ 9.135

$ 1.827 Each (In a Pack of 5) (Sin IVA)

$ 10.871

$ 2.174,13 Each (In a Pack of 5) (IVA Inc.)

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CantidadPrecio Unitario sin IVAPor Pack
5 - 20$ 1.827$ 9.135
25 - 45$ 1.736$ 8.680
50 - 120$ 1.562$ 7.810
125 - 245$ 1.408$ 7.040
250+$ 1.336$ 6.680

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Serie

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Encapsulado

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Superficie

Número de pines

3

Resistencia máxima Drenador-Fuente Rds

1.2Ω

Modo de Canal

Enhancement

Tensión directa Vf

1.6V

Disipación de potencia máxima Pd

60W

Temperatura de Funcionamiento Mínima

-55°C

Carga típica de puerta Qg @ Vgs

8nC

Máxima Temperatura de Funcionamiento

150°C

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No

Longitud:

6.6mm

Altura

2.4mm

Estándar de automoción

No

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