MOSFET, N-Canal STMicroelectronics, VDSS 650 V, ID 4.5 A, Mejora, TO-252 de 3 pines

Brand

Tipo de Canal

N

Tipo de Producto

MOSFET

Corriente continua máxima de drenaje ld

4.5A

Tensión máxima Drenador-Fuente Vds

650V

Serie

MDmesh M2

Encapsulado

TO-252

Tipo de Montaje

Surface

Número de pines

3

Resistencia máxima Drenador-Fuente Rds

1.2Ω

Modo de canal

Enhancement

Tensión máxima de la fuente de la puerta

-25, +25V

Tensión directa Vf

1.6V

Disipación de potencia máxima Pd

60W

Mínima Temperatura de Funcionamiento

-55°C

Carga típica de puerta Qg @ Vgs

8nC

Máxima Temperatura de Funcionamiento

150°C

Certificaciones y estándares

No

Anchura

6.2mm

Altura

2.4mm

Largo

6.6mm

Estándar de automoción

No

País de Origen

China