Documentos Técnicos
Especificaciones
Brand
STMicroelectronicsTipo de producto
MOSFET
Tipo de Canal
Type N
Corriente continua máxima de drenaje ld
80A
Tensión máxima Drenador-Fuente Vds
55V
Encapsulado
TO-252
Series
STripFET F3
Tipo de soporte
Surface
Número de pines
3
Resistencia máxima Drenador-Fuente Rds
8.5mΩ
Modo de Canal
Enhancement
Temperatura Mínima de Operación
-55°C
Carga típica de puerta Qg @ Vgs
33.5nC
Disipación de potencia máxima Pd
110W
Tensión máxima de la fuente de la puerta
20 V
Tensión directa Vf
1.5V
Temperatura Máxima de Operación
175°C
Ancho
6.2 mm
Altura
2.4mm
Longitud
6.6mm
Certificaciones y estándares
No
Estándar de automoción
AEC-Q101
Datos del producto
STripFET™ F3 de canal N, STMicroelectronics
Los MOSFET STripFET™ tienen un amplio rango de tensión de ruptura y ofrecen carga de puerta ultrabaja y baja resistencia encendidos.
MOSFET Transistors, STMicroelectronics
Volver a intentar más tarde
$ 14.410
$ 2.882 Each (In a Pack of 5) (Sin IVA)
$ 17.148
$ 3.429,58 Each (In a Pack of 5) (IVA Inc.)
Estándar
5
$ 14.410
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$ 17.148
$ 3.429,58 Each (In a Pack of 5) (IVA Inc.)
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Estándar
5
| Cantidad | Precio Unitario sin IVA | Por Pack |
|---|---|---|
| 5 - 20 | $ 2.882 | $ 14.410 |
| 25 - 45 | $ 2.737 | $ 13.685 |
| 50 - 120 | $ 2.470 | $ 12.350 |
| 125 - 245 | $ 2.221 | $ 11.105 |
| 250+ | $ 2.104 | $ 10.520 |
Documentos Técnicos
Especificaciones
Brand
STMicroelectronicsTipo de producto
MOSFET
Tipo de Canal
Type N
Corriente continua máxima de drenaje ld
80A
Tensión máxima Drenador-Fuente Vds
55V
Encapsulado
TO-252
Series
STripFET F3
Tipo de soporte
Surface
Número de pines
3
Resistencia máxima Drenador-Fuente Rds
8.5mΩ
Modo de Canal
Enhancement
Temperatura Mínima de Operación
-55°C
Carga típica de puerta Qg @ Vgs
33.5nC
Disipación de potencia máxima Pd
110W
Tensión máxima de la fuente de la puerta
20 V
Tensión directa Vf
1.5V
Temperatura Máxima de Operación
175°C
Ancho
6.2 mm
Altura
2.4mm
Longitud
6.6mm
Certificaciones y estándares
No
Estándar de automoción
AEC-Q101
Datos del producto
STripFET™ F3 de canal N, STMicroelectronics
Los MOSFET STripFET™ tienen un amplio rango de tensión de ruptura y ofrecen carga de puerta ultrabaja y baja resistencia encendidos.


