MOSFET, N-Canal STMicroelectronics STD65N55F3, VDSS 55 V, ID 80 A, Mejora, TO-252 de 3 pines

Brand

Tipo de Producto

MOSFET

Tipo de Canal

N

Corriente continua máxima de drenaje ld

80A

Tensión máxima Drenador-Fuente Vds

55V

Serie

STripFET F3

Encapsulado

TO-252

Tipo de Montaje

Surface

Número de pines

3

Resistencia máxima Drenador-Fuente Rds

8.5mΩ

Modo de canal

Enhancement

Tensión máxima de la fuente de la puerta

-20, +20V

Tensión directa Vf

1.5V

Disipación de potencia máxima Pd

110W

Mínima Temperatura de Funcionamiento

-55°C

Carga típica de puerta Qg @ Vgs

33.5nC

Máxima Temperatura de Funcionamiento

175°C

Largo

6.6mm

Certificaciones y estándares

No

Ancho

6.2mm

Altura

2.4mm

Estándar de automoción

AEC-Q101