MOSFET STMicroelectronics STD65N55F3, VDSS 55 V, ID 80 A, DPAK (TO-252) de 3 pines, , config. Simple

Código de producto RS: 795-9000Marca: STMicroelectronicsNúmero de parte de fabricante: STD65N55F3
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Documentos Técnicos

Especificaciones

Tipo de Canal

N

Corriente Máxima Continua de Drenaje

80 A

Tensión Máxima Drenador-Fuente

55 V

Series

STripFET F3

Tipo de Encapsulado

DPAK (TO-252)

Tipo de Montaje

Surface Mount

Conteo de Pines

3

Resistencia Máxima Drenador-Fuente

8.5 mΩ

Modo de Canal

Mejora

Tensión de umbral de puerta máxima

4V

Tensión de umbral de puerta mínima

2V

Disipación de Potencia Máxima

110 W

Configuración de transistor

Single

Tensión Máxima Puerta-Fuente

-20 V, +20 V

Anchura

6.2mm

Material del transistor

Si

Número de Elementos por Chip

1

Longitud

6.6mm

Carga Típica de Puerta @ Vgs

33,5 nC a 10 V

Máxima Temperatura de Funcionamiento

+175 °C

Altura

2.4mm

Mínima Temperatura de Funcionamiento

-55 °C

Datos del producto

STripFET™ F3 de canal N, STMicroelectronics

Los MOSFET STripFET™ tienen un amplio rango de tensión de ruptura y ofrecen carga de puerta ultrabaja y baja resistencia encendidos.

MOSFET Transistors, STMicroelectronics

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$ 14.410

$ 2.882 Each (In a Pack of 5) (Sin IVA)

$ 17.148

$ 3.429,58 Each (In a Pack of 5) (IVA Inc.)

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CantidadPrecio Unitario sin IVAPor Pack
5 - 20$ 2.882$ 14.410
25 - 45$ 2.737$ 13.685
50 - 120$ 2.470$ 12.350
125 - 245$ 2.221$ 11.105
250+$ 2.104$ 10.520

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N

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80 A

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Conteo de Pines

3

Resistencia Máxima Drenador-Fuente

8.5 mΩ

Modo de Canal

Mejora

Tensión de umbral de puerta máxima

4V

Tensión de umbral de puerta mínima

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110 W

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Anchura

6.2mm

Material del transistor

Si

Número de Elementos por Chip

1

Longitud

6.6mm

Carga Típica de Puerta @ Vgs

33,5 nC a 10 V

Máxima Temperatura de Funcionamiento

+175 °C

Altura

2.4mm

Mínima Temperatura de Funcionamiento

-55 °C

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