MOSFET STMicroelectronics STD65N55F3, VDSS 55 V, ID 80 A, DPAK (TO-252) de 3 pines, , config. Simple
Documentos Técnicos
Especificaciones
Brand
STMicroelectronicsTipo de Canal
N
Corriente Máxima Continua de Drenaje
80 A
Tensión Máxima Drenador-Fuente
55 V
Series
STripFET F3
Tipo de Encapsulado
DPAK (TO-252)
Tipo de Montaje
Surface Mount
Conteo de Pines
3
Resistencia Máxima Drenador-Fuente
8.5 mΩ
Modo de Canal
Mejora
Tensión de umbral de puerta máxima
4V
Tensión de umbral de puerta mínima
2V
Disipación de Potencia Máxima
110 W
Configuración de transistor
Single
Tensión Máxima Puerta-Fuente
-20 V, +20 V
Número de Elementos por Chip
1
Anchura
6.2mm
Longitud
6.6mm
Carga Típica de Puerta @ Vgs
33,5 nC a 10 V
Material del transistor
Si
Máxima Temperatura de Funcionamiento
+175 °C
Altura
2.4mm
Mínima Temperatura de Funcionamiento
-55 °C
País de Origen
China
Datos del producto
STripFET™ F3 de canal N, STMicroelectronics
Los MOSFET STripFET™ tienen un amplio rango de tensión de ruptura y ofrecen carga de puerta ultrabaja y baja resistencia encendidos.
MOSFET Transistors, STMicroelectronics
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$ 3.965.000
$ 1.586 Each (On a Reel of 2500) (Sin IVA)
$ 4.718.350
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2500
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STripFET F3
Tipo de Encapsulado
DPAK (TO-252)
Tipo de Montaje
Surface Mount
Conteo de Pines
3
Resistencia Máxima Drenador-Fuente
8.5 mΩ
Modo de Canal
Mejora
Tensión de umbral de puerta máxima
4V
Tensión de umbral de puerta mínima
2V
Disipación de Potencia Máxima
110 W
Configuración de transistor
Single
Tensión Máxima Puerta-Fuente
-20 V, +20 V
Número de Elementos por Chip
1
Anchura
6.2mm
Longitud
6.6mm
Carga Típica de Puerta @ Vgs
33,5 nC a 10 V
Material del transistor
Si
Máxima Temperatura de Funcionamiento
+175 °C
Altura
2.4mm
Mínima Temperatura de Funcionamiento
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País de Origen
China
Datos del producto
STripFET™ F3 de canal N, STMicroelectronics
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