MOSFET, Tipo N-Canal STMicroelectronics, VDSS 55 V, ID 80 A, Mejora, TO-252 de 3 pines
Documentos Técnicos
Especificaciones
Brand
STMicroelectronicsTipo de Canal
Type N
Tipo de producto
MOSFET
Corriente continua máxima de drenaje ld
80A
Tensión máxima Drenador-Fuente Vds
55V
Encapsulado
TO-252
Series
STripFET F3
Tipo de soporte
Surface
Número de pines
3
Resistencia máxima Drenador-Fuente Rds
8.5mΩ
Modo de Canal
Enhancement
Tensión directa Vf
1.5V
Disipación de potencia máxima Pd
110W
Tensión máxima de la fuente de la puerta
20 V
Temperatura Mínima de Operación
-55°C
Carga típica de puerta Qg @ Vgs
33.5nC
Temperatura Máxima de Operación
175°C
Ancho
6.2 mm
Altura
2.4mm
Longitud
6.6mm
Certificaciones y estándares
No
Estándar de automoción
AEC-Q101
País de Origen
China
Datos del producto
STripFET™ F3 de canal N, STMicroelectronics
Los MOSFET STripFET™ tienen un amplio rango de tensión de ruptura y ofrecen carga de puerta ultrabaja y baja resistencia encendidos.
MOSFET Transistors, STMicroelectronics
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$ 1.586 Each (On a Reel of 2500) (Sin IVA)
$ 4.718.350
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2500
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MOSFET
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Tensión máxima Drenador-Fuente Vds
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Encapsulado
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STripFET F3
Tipo de soporte
Surface
Número de pines
3
Resistencia máxima Drenador-Fuente Rds
8.5mΩ
Modo de Canal
Enhancement
Tensión directa Vf
1.5V
Disipación de potencia máxima Pd
110W
Tensión máxima de la fuente de la puerta
20 V
Temperatura Mínima de Operación
-55°C
Carga típica de puerta Qg @ Vgs
33.5nC
Temperatura Máxima de Operación
175°C
Ancho
6.2 mm
Altura
2.4mm
Longitud
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No
Estándar de automoción
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País de Origen
China
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