Documentos Técnicos
Especificaciones
Brand
STMicroelectronicsTipo de Canal
N
Corriente Máxima Continua de Drenaje
80 A
Tensión Máxima Drenador-Fuente
55 V
Series
STripFET F3
Tipo de Encapsulado
DPAK (TO-252)
Tipo de Montaje
Surface Mount
Conteo de Pines
3
Resistencia Máxima Drenador-Fuente
8.5 mΩ
Modo de Canal
Mejora
Tensión de umbral de puerta máxima
4V
Tensión de umbral de puerta mínima
2V
Disipación de Potencia Máxima
110 W
Configuración de transistor
Single
Tensión Máxima Puerta-Fuente
-20 V, +20 V
Anchura
6.2mm
Material del transistor
Si
Número de Elementos por Chip
1
Longitud
6.6mm
Carga Típica de Puerta @ Vgs
33,5 nC a 10 V
Máxima Temperatura de Funcionamiento
+175 °C
Altura
2.4mm
Mínima Temperatura de Funcionamiento
-55 °C
Datos del producto
STripFET™ F3 de canal N, STMicroelectronics
Los MOSFET STripFET™ tienen un amplio rango de tensión de ruptura y ofrecen carga de puerta ultrabaja y baja resistencia encendidos.
MOSFET Transistors, STMicroelectronics
$ 14.410
$ 2.882 Each (In a Pack of 5) (Sin IVA)
$ 17.148
$ 3.429,58 Each (In a Pack of 5) (IVA Inc.)
Estándar
5
$ 14.410
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$ 17.148
$ 3.429,58 Each (In a Pack of 5) (IVA Inc.)
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| Cantidad | Precio Unitario sin IVA | Por Pack |
|---|---|---|
| 5 - 20 | $ 2.882 | $ 14.410 |
| 25 - 45 | $ 2.737 | $ 13.685 |
| 50 - 120 | $ 2.470 | $ 12.350 |
| 125 - 245 | $ 2.221 | $ 11.105 |
| 250+ | $ 2.104 | $ 10.520 |
Documentos Técnicos
Especificaciones
Brand
STMicroelectronicsTipo de Canal
N
Corriente Máxima Continua de Drenaje
80 A
Tensión Máxima Drenador-Fuente
55 V
Series
STripFET F3
Tipo de Encapsulado
DPAK (TO-252)
Tipo de Montaje
Surface Mount
Conteo de Pines
3
Resistencia Máxima Drenador-Fuente
8.5 mΩ
Modo de Canal
Mejora
Tensión de umbral de puerta máxima
4V
Tensión de umbral de puerta mínima
2V
Disipación de Potencia Máxima
110 W
Configuración de transistor
Single
Tensión Máxima Puerta-Fuente
-20 V, +20 V
Anchura
6.2mm
Material del transistor
Si
Número de Elementos por Chip
1
Longitud
6.6mm
Carga Típica de Puerta @ Vgs
33,5 nC a 10 V
Máxima Temperatura de Funcionamiento
+175 °C
Altura
2.4mm
Mínima Temperatura de Funcionamiento
-55 °C
Datos del producto
STripFET™ F3 de canal N, STMicroelectronics
Los MOSFET STripFET™ tienen un amplio rango de tensión de ruptura y ofrecen carga de puerta ultrabaja y baja resistencia encendidos.


