MOSFET STMicroelectronics STD60NF06T4, VDSS 60 V, ID 60 A, DPAK (TO-252) de 3 pines, , config. Simple
Documentos Técnicos
Especificaciones
Brand
STMicroelectronicsTipo de Canal
N
Corriente Máxima Continua de Drenaje
60 A
Tensión Máxima Drenador-Fuente
60 V
Series
STripFET II
Tipo de Encapsulado
DPAK (TO-252)
Tipo de Montaje
Surface Mount
Número de pines
3
Resistencia Máxima Drenador-Fuente
16 m.Ω
Modo de Canal
Mejora
Tensión de umbral de puerta máxima
4V
Tensión de umbral de puerta mínima
2V
Disipación de Potencia Máxima
110 W
Configuración de transistor
Single
Tensión Máxima Puerta-Fuente
-20 V, +20 V
Anchura
6.2mm
Material del transistor
Si
Número de Elementos por Chip
1
Largo
6.6mm
Carga Típica de Puerta @ Vgs
49 nC a 10 V
Máxima Temperatura de Funcionamiento
+175 °C
Altura
2.4mm
Mínima Temperatura de Funcionamiento
-55 °C
Datos del producto
STripFET™ II de canal N, STMicroelectronics
Los MOSFET STripFET™ tienen un amplio rango de tensión de ruptura y ofrecen carga de puerta ultrabaja y baja resistencia encendidos.
MOSFET Transistors, STMicroelectronics
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2500
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N
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Tipo de Encapsulado
DPAK (TO-252)
Tipo de Montaje
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3
Resistencia Máxima Drenador-Fuente
16 m.Ω
Modo de Canal
Mejora
Tensión de umbral de puerta máxima
4V
Tensión de umbral de puerta mínima
2V
Disipación de Potencia Máxima
110 W
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Single
Tensión Máxima Puerta-Fuente
-20 V, +20 V
Anchura
6.2mm
Material del transistor
Si
Número de Elementos por Chip
1
Largo
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Carga Típica de Puerta @ Vgs
49 nC a 10 V
Máxima Temperatura de Funcionamiento
+175 °C
Altura
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-55 °C
Datos del producto
STripFET™ II de canal N, STMicroelectronics
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