MOSFET, Tipo N-Canal STMicroelectronics, VDSS 60 V, ID 60 A, Mejora, TO-252 de 3 pines

Código de producto RS: 920-8802Marca: STMicroelectronicsNúmero de parte de fabricante: STD60NF06T4
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Documentos Técnicos

Especificaciones

Brand

STMicroelectronics

Tipo de Producto

MOSFET

Tipo de canal

Type N

Corriente continua máxima de drenaje ld

60A

Tensión máxima Drenador-Fuente Vds

60V

Encapsulado

TO-252

Series

STripFET II

Tipo de Montaje

Superficie

Número de pines

3

Resistencia máxima Drenador-Fuente Rds

16mΩ

Modo de canal

Mejora

Disipación de potencia máxima Pd

110W

Tensión máxima de la fuente de la puerta

20 V

Temperatura Mínima de Operación

-55°C

Carga típica de puerta Qg @ Vgs

49nC

Tensión directa Vf

1.3V

Temperatura Máxima de Operación

175°C

Anchura

6.2 mm

Altura

2.4mm

Largo

6.6mm

Certificaciones y estándares

RoHS

Estándar de automoción

No

Datos del producto

STripFET™ II de canal N, STMicroelectronics

Los MOSFET STripFET™ tienen un amplio rango de tensión de ruptura y ofrecen carga de puerta ultrabaja y baja resistencia encendidos.

MOSFET Transistors, STMicroelectronics

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P.O.A.

Each (On a Reel of 2500) (Sin IVA)

MOSFET, Tipo N-Canal STMicroelectronics, VDSS 60 V, ID 60 A, Mejora, TO-252 de 3 pines

2500

Disponible en múltiplos de 2500
2500P.O.A.
5000P.O.A.
7500P.O.A.
10000P.O.A.
12500P.O.A.
15000P.O.A.
17500P.O.A.
20000P.O.A.
22500P.O.A.
25000P.O.A.
27500P.O.A.
30000P.O.A.
32500P.O.A.
35000P.O.A.
37500P.O.A.

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3

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16mΩ

Modo de canal

Mejora

Disipación de potencia máxima Pd

110W

Tensión máxima de la fuente de la puerta

20 V

Temperatura Mínima de Operación

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Carga típica de puerta Qg @ Vgs

49nC

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Temperatura Máxima de Operación

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Anchura

6.2 mm

Altura

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Largo

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