MOSFET, Tipo N-Canal STMicroelectronics, VDSS 60 V, ID 60 A, Mejora, TO-252 de 3 pines
Documentos Técnicos
Especificaciones
Brand
STMicroelectronicsTipo de producto
MOSFET
Tipo de Canal
Type N
Corriente continua máxima de drenaje ld
60A
Tensión máxima Drenador-Fuente Vds
60V
Series
STripFET II
Encapsulado
TO-252
Tipo de soporte
Surface
Número de pines
3
Resistencia máxima Drenador-Fuente Rds
16mΩ
Modo de Canal
Enhancement
Disipación de potencia máxima Pd
110W
Tensión máxima de la fuente de la puerta
20 V
Temperatura Mínima de Funcionamiento
-55°C
Carga típica de puerta Qg @ Vgs
49nC
Tensión directa Vf
1.3V
Temperatura Máxima de Operación
175°C
Altura
2.4mm
Longitud
6.6mm
Certificaciones y estándares
No
Ancho
6.2 mm
Estándar de automoción
No
Datos del producto
STripFET™ II de canal N, STMicroelectronics
Los MOSFET STripFET™ tienen un amplio rango de tensión de ruptura y ofrecen carga de puerta ultrabaja y baja resistencia encendidos.
MOSFET Transistors, STMicroelectronics
Idear. Crear. Colaborar
ÚNASE GRATIS
¡Sin cuotas escondidas!
- Descargue y utilice nuestro software DesignSpark para sus diseños mecánicos 3D y de PCB
- Ver y contribuir con contenido de sitios web y foros
- Descargue modelos 3D, esquemas y huellas de más de un millón de productos
Volver a intentar más tarde
P.O.A.
Each (On a Reel of 2500) (Sin IVA)
2500
P.O.A.
Each (On a Reel of 2500) (Sin IVA)
Volver a intentar más tarde
2500
Idear. Crear. Colaborar
ÚNASE GRATIS
¡Sin cuotas escondidas!
- Descargue y utilice nuestro software DesignSpark para sus diseños mecánicos 3D y de PCB
- Ver y contribuir con contenido de sitios web y foros
- Descargue modelos 3D, esquemas y huellas de más de un millón de productos
Documentos Técnicos
Especificaciones
Brand
STMicroelectronicsTipo de producto
MOSFET
Tipo de Canal
Type N
Corriente continua máxima de drenaje ld
60A
Tensión máxima Drenador-Fuente Vds
60V
Series
STripFET II
Encapsulado
TO-252
Tipo de soporte
Surface
Número de pines
3
Resistencia máxima Drenador-Fuente Rds
16mΩ
Modo de Canal
Enhancement
Disipación de potencia máxima Pd
110W
Tensión máxima de la fuente de la puerta
20 V
Temperatura Mínima de Funcionamiento
-55°C
Carga típica de puerta Qg @ Vgs
49nC
Tensión directa Vf
1.3V
Temperatura Máxima de Operación
175°C
Altura
2.4mm
Longitud
6.6mm
Certificaciones y estándares
No
Ancho
6.2 mm
Estándar de automoción
No
Datos del producto
STripFET™ II de canal N, STMicroelectronics
Los MOSFET STripFET™ tienen un amplio rango de tensión de ruptura y ofrecen carga de puerta ultrabaja y baja resistencia encendidos.
MOSFET Transistors, STMicroelectronics
Idear. Crear. Colaborar
ÚNASE GRATIS
¡Sin cuotas escondidas!
- Descargue y utilice nuestro software DesignSpark para sus diseños mecánicos 3D y de PCB
- Ver y contribuir con contenido de sitios web y foros
- Descargue modelos 3D, esquemas y huellas de más de un millón de productos