Documentos Técnicos
Especificaciones
Brand
STMicroelectronicsTipo de Canal
Type N
Tipo de producto
MOSFET
Corriente continua máxima de drenaje ld
60A
Tensión máxima Drenador-Fuente Vds
60V
Encapsulado
TO-252
Series
STripFET II
Tipo de soporte
Surface
Número de pines
3
Resistencia máxima Drenador-Fuente Rds
16mΩ
Modo de Canal
Enhancement
Temperatura Mínima de Operación
-55°C
Carga típica de puerta Qg @ Vgs
49nC
Tensión directa Vf
1.3V
Disipación de potencia máxima Pd
110W
Tensión máxima de la fuente de la puerta
20 V
Temperatura Máxima de Operación
175°C
Longitud
6.6mm
Certificaciones y estándares
No
Ancho
6.2 mm
Altura
2.4mm
Estándar de automoción
No
Datos del producto
STripFET™ II de canal N, STMicroelectronics
Los MOSFET STripFET™ tienen un amplio rango de tensión de ruptura y ofrecen carga de puerta ultrabaja y baja resistencia encendidos.
MOSFET Transistors, STMicroelectronics
Volver a intentar más tarde
$ 2.425
$ 485 Each (In a Pack of 5) (Sin IVA)
$ 2.886
$ 577,15 Each (In a Pack of 5) (IVA Inc.)
Estándar
5
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5
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Tipo de producto
MOSFET
Corriente continua máxima de drenaje ld
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Tensión máxima Drenador-Fuente Vds
60V
Encapsulado
TO-252
Series
STripFET II
Tipo de soporte
Surface
Número de pines
3
Resistencia máxima Drenador-Fuente Rds
16mΩ
Modo de Canal
Enhancement
Temperatura Mínima de Operación
-55°C
Carga típica de puerta Qg @ Vgs
49nC
Tensión directa Vf
1.3V
Disipación de potencia máxima Pd
110W
Tensión máxima de la fuente de la puerta
20 V
Temperatura Máxima de Operación
175°C
Longitud
6.6mm
Certificaciones y estándares
No
Ancho
6.2 mm
Altura
2.4mm
Estándar de automoción
No
Datos del producto
STripFET™ II de canal N, STMicroelectronics
Los MOSFET STripFET™ tienen un amplio rango de tensión de ruptura y ofrecen carga de puerta ultrabaja y baja resistencia encendidos.


