Documentos Técnicos
Especificaciones
Brand
STMicroelectronicsTipo de producto
MOSFET
Tipo de Canal
Type N
Corriente continua máxima de drenaje ld
5A
Tensión máxima Drenador-Fuente Vds
650V
Encapsulado
IPAK
Tipo de Montaje
Orificio pasante
Número de pines
3
Resistencia máxima Drenador-Fuente Rds
1Ω
Modo de canal
Enhancement
Disipación de potencia máxima Pd
96W
Mínima Temperatura de Funcionamiento
-55°C
Carga típica de puerta Qg @ Vgs
13nC
Tensión máxima de la fuente de la puerta
30V
Tensión directa Vf
1.5V
Máxima Temperatura de Funcionamiento
150°C
Altura
6.2mm
Longitud
6.6mm
Certificaciones y estándares
RoHS
Ancho
2.4mm
Estándar de automoción
No
Datos del producto
The MDmesh™ is a new revolutionary Power MOSFET technology that associates the multiple drain process with the companys PowerMESH™ horizontal layout. The resulting product has an outstanding low on-resistance, impressively high dv/dt and excellent avalanche characteristics. The adoption of the companys proprietary strip technique yields overall dynamic performances.
Volver a intentar más tarde
$ 3.422.500
$ 1.369 Each (On a Reel of 2500) (Sin IVA)
$ 4.072.775
$ 1.629,11 Each (On a Reel of 2500) (IVA Inc.)
2500
$ 3.422.500
$ 1.369 Each (On a Reel of 2500) (Sin IVA)
$ 4.072.775
$ 1.629,11 Each (On a Reel of 2500) (IVA Inc.)
Volver a intentar más tarde
2500
Documentos Técnicos
Especificaciones
Brand
STMicroelectronicsTipo de producto
MOSFET
Tipo de Canal
Type N
Corriente continua máxima de drenaje ld
5A
Tensión máxima Drenador-Fuente Vds
650V
Encapsulado
IPAK
Tipo de Montaje
Orificio pasante
Número de pines
3
Resistencia máxima Drenador-Fuente Rds
1Ω
Modo de canal
Enhancement
Disipación de potencia máxima Pd
96W
Mínima Temperatura de Funcionamiento
-55°C
Carga típica de puerta Qg @ Vgs
13nC
Tensión máxima de la fuente de la puerta
30V
Tensión directa Vf
1.5V
Máxima Temperatura de Funcionamiento
150°C
Altura
6.2mm
Longitud
6.6mm
Certificaciones y estándares
RoHS
Ancho
2.4mm
Estándar de automoción
No
Datos del producto
The MDmesh™ is a new revolutionary Power MOSFET technology that associates the multiple drain process with the companys PowerMESH™ horizontal layout. The resulting product has an outstanding low on-resistance, impressively high dv/dt and excellent avalanche characteristics. The adoption of the companys proprietary strip technique yields overall dynamic performances.