Documentos Técnicos
Especificaciones
Brand
STMicroelectronicsTipo de producto
MOSFET
Tipo de Canal
Type N
Corriente continua máxima de drenaje ld
4A
Tensión máxima Drenador-Fuente Vds
800V
Encapsulado
TO-252
Tipo de Montaje
Superficie
Número de pines
3
Resistencia máxima Drenador-Fuente Rds
1.73Ω
Modo de canal
Enhancement
Disipación de potencia máxima Pd
60W
Temperatura de Funcionamiento Mínima
-55°C
Carga típica de puerta Qg @ Vgs
5nC
Tensión máxima de la fuente de la puerta
30V
Tensión directa Vf
1.5V
Máxima Temperatura de Funcionamiento
150°C
Altura
2.17mm
Largo
6.6mm
Certificaciones y estándares
RoHS
Ancho
6.2mm
Estándar de automoción
No
Datos del producto
This very high voltage N-channel Power MOSFET is designed using MDmesh K5 technology based on an innovative proprietary vertical structure. The result is a dramatic reduction in on-resistance and ultra-low gate charge for applications requiring superior power density and high efficiency.
Volver a intentar más tarde
$ 2.225.000
$ 890 Each (On a Reel of 2500) (Sin IVA)
$ 2.647.750
$ 1.059,10 Each (On a Reel of 2500) (IVA Inc.)
2500
$ 2.225.000
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2500
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Brand
STMicroelectronicsTipo de producto
MOSFET
Tipo de Canal
Type N
Corriente continua máxima de drenaje ld
4A
Tensión máxima Drenador-Fuente Vds
800V
Encapsulado
TO-252
Tipo de Montaje
Superficie
Número de pines
3
Resistencia máxima Drenador-Fuente Rds
1.73Ω
Modo de canal
Enhancement
Disipación de potencia máxima Pd
60W
Temperatura de Funcionamiento Mínima
-55°C
Carga típica de puerta Qg @ Vgs
5nC
Tensión máxima de la fuente de la puerta
30V
Tensión directa Vf
1.5V
Máxima Temperatura de Funcionamiento
150°C
Altura
2.17mm
Largo
6.6mm
Certificaciones y estándares
RoHS
Ancho
6.2mm
Estándar de automoción
No
Datos del producto
This very high voltage N-channel Power MOSFET is designed using MDmesh K5 technology based on an innovative proprietary vertical structure. The result is a dramatic reduction in on-resistance and ultra-low gate charge for applications requiring superior power density and high efficiency.