MOSFET, N-Canal STMicroelectronics, VDSS 800 V, ID 4 A, Mejora, TO-252 de 3 pines

Brand

Tipo de Canal

N

Tipo de Producto

MOSFET

Corriente continua máxima de drenaje ld

4A

Tensión máxima Drenador-Fuente Vds

800V

Encapsulado

TO-252

Tipo de Montaje

Surface

Número de pines

3

Resistencia máxima Drenador-Fuente Rds

1.73Ω

Modo de canal

Enhancement

Tensión máxima de la fuente de la puerta

30V

Tensión directa Vf

1.5V

Mínima Temperatura de Funcionamiento

-55°C

Carga típica de puerta Qg @ Vgs

5nC

Disipación de potencia máxima Pd

60W

Máxima Temperatura de Funcionamiento

150°C

Certificaciones y estándares

No

Ancho

6.2mm

Altura

2.17mm

Longitud:

6.6mm

Estándar de automoción

No