MOSFET, N-Canal STMicroelectronics STD4NK100Z, VDSS 1 kV, ID 2.2 A, Mejora, TO-252 de 3 pines

Brand

Tipo de Producto

MOSFET

Tipo de Canal

N

Corriente continua máxima de drenaje ld

2.2A

Tensión máxima Drenador-Fuente Vds

1kV

Serie

MDmesh, SuperMESH

Encapsulado

TO-252

Tipo de Montaje

Surface

Número de pines

3

Resistencia máxima Drenador-Fuente Rds

6.8Ω

Modo de canal

Enhancement

Tensión máxima de la fuente de la puerta

-30, +30V

Tensión directa Vf

1.6V

Disipación de potencia máxima Pd

90W

Mínima Temperatura de Funcionamiento

-55°C

Carga típica de puerta Qg @ Vgs

18nC

Máxima Temperatura de Funcionamiento

150°C

Longitud:

6.6mm

Certificaciones y estándares

No

Ancho

6.2mm

Altura

2.4mm

Estándar de automoción

AEC-Q101

País de Origen

China