MOSFET STMicroelectronics STD40NF10, VDSS 100 V, ID 50 A, DPAK (TO-252) de 3 pines, , config. Simple
Documentos Técnicos
Especificaciones
Brand
STMicroelectronicsTipo de Canal
N
Corriente Máxima Continua de Drenaje
50 A
Tensión Máxima Drenador-Fuente
100 V
Series
STripFET
Tipo de Encapsulado
DPAK (TO-252)
Tipo de montaje
Surface Mount
Conteo de Pines
3
Resistencia Máxima Drenador-Fuente
28 m.Ω
Modo de Canal
Mejora
Tensión de umbral de puerta máxima
4V
Tensión de umbral de puerta mínima
2V
Disipación de Potencia Máxima
125000 mW
Configuración de transistor
Single
Tensión Máxima Puerta-Fuente
-20 V, +20 V
Profundidad
6.2mm
Largo
6.6mm
Carga Típica de Puerta @ Vgs
46,5 nC a 10 V
Material del transistor
Si
Temperatura Máxima de Funcionamiento
+175 °C
Número de Elementos por Chip
1
Altura
2.4mm
Mínima Temperatura de Funcionamiento
-55 °C
Datos del producto
STripFET™ de canal N, STMicroelectronics
MOSFET Transistors, STMicroelectronics
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$ 2.162.500
$ 865 Each (On a Reel of 2500) (Sin IVA)
$ 2.573.375
$ 1.029,35 Each (On a Reel of 2500) (IVA Inc.)
2500
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DPAK (TO-252)
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Conteo de Pines
3
Resistencia Máxima Drenador-Fuente
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Modo de Canal
Mejora
Tensión de umbral de puerta máxima
4V
Tensión de umbral de puerta mínima
2V
Disipación de Potencia Máxima
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Single
Tensión Máxima Puerta-Fuente
-20 V, +20 V
Profundidad
6.2mm
Largo
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Material del transistor
Si
Temperatura Máxima de Funcionamiento
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